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Semiconductores Discretos

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Semiconductores Discretos
(12) Diodos Schottky y Rectificadores
(10) IGBT
(6) JFET
(159) MOSFET
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Descrição
Detalhes do produto
Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple
  • 2,736 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PL
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple
  • 2,855 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje9 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente900 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • Serie2SK
Consulte produtos similares em MOSFET
Diodo, 1SS315(TPH3,F), 30mA, 5V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines 250mV
  • 0,195 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
Diodo, 1SS315(TPH3,F), 30mA, 5V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines 250mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOD-323
  • Corriente Continua Máxima Directa30mA
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico5V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • 1,762 €
    unitário (Em Tubo de 100)
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PL
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • 2,60 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP -15 A -230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-230 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PL
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 5,99 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 4,143 €
    unitário (Em Tubo de 25)
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • 0,347 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
JFET, 2SK209-Y(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss1.2 to 3.0mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente10 V
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-30 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador-50V
Consulte produtos similares em JFET
MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 5,545 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje31 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • 0,806 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • 1,193 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 8)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 3,346 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje31 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,766 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 4,22 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 2,889 €
    unitário (Em Tubo de 50)
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines
  • 1,07 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje9,7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieDTMOSIV
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK40A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 0,515 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
MOSFET Toshiba TK40A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 1,266 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TPC8125, VDSS 30 V, ID 10 A, SOP de 8 pines, , config. Simple
  • 0,218 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TPC8125, VDSS 30 V, ID 10 A, SOP de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieTPC
  • Tipo de EncapsuladoSOP
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
  • 0,46 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TPC8227-H,LQ(S, VDSS 40 V, ID 5,1 A, SOP de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje5,1 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOP
  • SerieTPC
Consulte produtos similares em MOSFET
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