MOSFET Toshiba 2SK3878(F), VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Toshiba

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	900 V
Tipo de Encapsulado	TO-3PN
Serie	2SK
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,3 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	150000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	15.9mm
Ancho	4.8mm
Altura	19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C