MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 827-6182
- Referência do fabricante:
- TK31E60W,S1VX(S
- Fabricante:
- Toshiba
12 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
4,96 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 2 - 8 | 4,96 € | 9,92 € |
| 10 - 18 | 4,37 € | 8,74 € |
| 20 - 48 | 3,81 € | 7,62 € |
| 50 - 98 | 3,565 € | 7,13 € |
| 100 + | 3,41 € | 6,82 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 827-6182
- Referência do fabricante:
- TK31E60W,S1VX(S
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 31 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 88 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.7V |
| Disipación de Potencia Máxima | 230 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 86 nC a 10 V |
| Longitud | 10.16mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 4.45mm |
| Altura | 15.1mm |
| Serie | TK |
- Código RS:
- 827-6182
- Referência do fabricante:
- TK31E60W,S1VX(S
- Fabricante:
- Toshiba