MOSFET Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines
- Código RS:
- 125-0532
- Referência do fabricante:
- TK10A60W,S4VX(M
- Fabricante:
- Toshiba
10 Disponível para entrega em 24/48 horas
30 Disponível para entrega em 8 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
1,03 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 5 - 20 | 1,03 € | 5,15 € |
| 25 - 45 | 0,668 € | 3,34 € |
| 50 - 120 | 0,65 € | 3,25 € |
| 125 - 245 | 0,636 € | 3,18 € |
| 250 + | 0,618 € | 3,09 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 125-0532
- Referência do fabricante:
- TK10A60W,S4VX(M
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- JP
Detalhes do produto
Transistores MOSFET, Toshiba
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
| Serie | DTMOSIV |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 380 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.7V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.7V |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.5mm |
| Longitud | 10mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 20 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 15mm |
| Tensión de diodo directa | 1.7V |
- Código RS:
- 125-0532
- Referência do fabricante:
- TK10A60W,S4VX(M
- Fabricante:
- Toshiba