Un JFET es un dispositivo de tres terminales, llamados Puerta, Drenador y Fuente. Algunos encapsulados no aislados tienen una pestaña metálica a la cual está siempre conectado a la Fuente. Existen dos tipos de JFET: los de canal N y los de canal P. FET significa transistor de efecto de campo de unión.
El nombre de canal N significa que los electrones son los portadores de carga mayoritarios. Para formar el canal N, se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor de tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están unidas eléctricamente con un contacto óhmico en la puerta. En los extremos opuestos se sacan otros dos terminales para el Drenador y la Fuente.
El nombre de canal P significa que los huecos son los portadores de carga mayoritarios. Para formar el canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor de tipo N en ambos extremos. Estas dos regiones N están unidas eléctricamente con un contacto óhmico en la puerta. En los extremos opuestos encontramos los terminales Drenador y Fuente.
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica de una carga, y como amplificadores.
La principal diferencia entre un JFET y un BJT es que en un transistor de efecto de campo sólo fluye el portador de carga mayoritario, mientras que en el BJT fluyen tanto los portadores de carga mayoritarios como los minoritarios.
El dopaje es el proceso en que se añade un pequeño porcentaje de átomos considerados impurezas a un semiconductor intrínseco. Esta adición de átomos tendrá un impacto importante sobre las propiedades eléctricas del semiconductor.
Los átomos de aluminio o boro, llamados trivalentes, se utilizan para dopar el silicio de un semiconductor intrínseco, creando huecos y así convertirlo en un semiconductor de tipo P.
Los átomos pentavalentes de arsénico o fósforo se utilizan para dopar el silicio de un semiconductor intrínseco para convertirlo en un semiconductor de tipo N, aportando electrones adicionales.