JFET

"JFET Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.¿Qué significa JFET? JFET significa transistor de efecto de campo de uniónConstrucción de JFET de canal NEl nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Construcción de JFET de canal PEl nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.Características y ventajas Alta impedancia de entrada Dispositivo controlado por tensión Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida Menos ruido¿Cómo se conocen también? JUGFET¿Para qué se utilizan los transistores JFET? Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)? La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.¿Qué es el dopaje de semiconductores? El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descrição Preço Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 145-5553
Referência do fabricanteMMBFJ112
FabricanteON Semiconductor
0,08 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N min. 5mA - -35 V 35V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 3 28pF 28pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 761-3684
Referência do fabricanteMMBFJ112
FabricanteON Semiconductor
0,254 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
unidades
N min. 5mA - -35 V 35V Único Simple Ω50 Montaje superficial SOT-23 3 28pF 28pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 760-3126
Referência do fabricante2SK209-Y(TE85L,F)
FabricanteToshiba
0,322 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 1.2 → 3.0mA 10 V -30 V -50V Único Simple - Montaje superficial SOT-346 (SC-59) 3 - - 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-1840
Referência do fabricanteMMBFJ201
FabricanteON Semiconductor
0,076 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 0.3 → 1.5mA - -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-2224
Referência do fabricanteMMBFJ270
FabricanteON Semiconductor
0,103 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
P -2 → -15mA 15 V +30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 792-5155
Referência do fabricante2SK2394-7-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,366 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
unidades
N 16 → 32mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 761-3688
Referência do fabricanteMMBFJ201
FabricanteON Semiconductor
0,21 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
unidades
N 0.3 → 1.5mA - -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 163-2019
Referência do fabricante2SK2394-7-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,149 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 16 → 32mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 806-1750
Referência do fabricanteJ109
FabricanteON Semiconductor
0,263 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
unidades
N min. 40mA - -25 V 25V Único Simple 12 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 85pF 85pF 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Código RS 166-2021
Referência do fabricanteJ109
FabricanteON Semiconductor
0,123 €
unitário (Em bolsa de 1000)
unidades
N min. 40mA - -25 V 25V Único Simple 12 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 85pF 85pF 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Código RS 806-1766
Referência do fabricanteJ113
FabricanteON Semiconductor
0,239 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
N min. 2mA - -35 V 35V Único Simple 100 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 806-4318
Referência do fabricanteMMBFJ270
FabricanteON Semiconductor
0,297 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
P -2 → -15mA 15 V +30 V -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 145-5347
Referência do fabricanteJ113
FabricanteON Semiconductor
0,087 €
unitário (Em bolsa de 1000)
unidades
N min. 2mA - -35 V 35V Único Simple 100 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 166-3080
Referência do fabricanteMMBF4092
FabricanteON Semiconductor
0,135 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N min. 15mA 0,2 V -40 V 40V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-2223
Referência do fabricanteMMBFJ110
FabricanteON Semiconductor
0,105 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N Min. 10mA 15 V -25 V 25V Único Simple 18 Ω Montaje superficial SOT-23 3 85pF 85pF 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Código RS 806-4314
Referência do fabricanteMMBFJ176
FabricanteON Semiconductor
0,288 €
unitário (Fornecido em Tiras de 50)
unidades
P -2 → -25mA 15 V +30 V -30V Único Simple 250 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 760-3123
Referência do fabricante2SK208-R(TE85L,F)
FabricanteToshiba
0,316 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 0.3 → 0.75mA 10 V -30 V -50V Único Simple - Montaje superficial SOT-346 (SC-59) 3 - - 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 806-1753
Referência do fabricanteJ111
FabricanteON Semiconductor
0,225 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
unidades
N min. 20mA - -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje en orificio pasante TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Código RS 166-3082
Referência do fabricanteMMBF4119
FabricanteON Semiconductor
0,084 €
unitário (Fornecido em carretes de 3000)
unidades
N 0.2 → 0.6mA 10 V -40 V 40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 791-9403
Referência do fabricanteCPH6904-TL-E
FabricanteON Semiconductor
0,462 €
unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
unidades
N 20 → 40mA 25 V - -25V Doble Fuente común - Montaje superficial CPH 6 6pF 2.3pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm