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Semiconductores Discretos

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Descrição
Detalhes do produto
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor JFET, 2SK2145-BL(TE85L,F), N-Canal, SMV, 5-Pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss14mA
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-50 V
  • Tipo de EncapsuladoSMV
  • Conteo de Pines5
Consulte produtos similares em JFET
  • Código RS
    236-3557
  • Fabricante
    Toshiba
  • Referência do fabricante
    2SK2145-BL(TE85L,F)
  • 0,798 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje58 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,368 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje65 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,392 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje55 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,169 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
MOSFET Toshiba SSM3J356R,LF(T, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje2 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,011 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo de conmutación, CUS520,H3F(T, 1A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoUSC
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Tipo de RectificadorDiodo Schottky
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
  • 0,064 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo de conmutación, CUS10S30,H3F(T, 5A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoUSC
  • Corriente Continua Máxima Directa5A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Tipo de RectificadorDiodo Schottky
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
  • 5,059 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET Toshiba TK090N65Z,S1F(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieTK090N65Z
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,046 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
MOSFET Toshiba SSM6N35FE, VDSS 20 V, ID 180 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje180 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-563
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,086 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo, CRS15I30B, 1.5A, 30V Schottky, S-PLANO, 2-Pines 460mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoS-PLANO
  • Corriente Continua Máxima Directa1.5A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
  • 1,545 €
    unitário (Em Tubo de 50)
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima30 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 5,87 €unitário
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
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  • 2,94 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 4)
MOSFET Toshiba TK72A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje72 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 1,754 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje207 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,041 €
    unitário (Fornecido em carretes de 8000)
MOSFET Toshiba SSM3K37MFV,L3F(B, VDSS 20 V, ID 250 mA, SOT-723 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje250 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-723
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,012 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
  • 0,035 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
MOSFET Toshiba T2N7002BK, VDSS 60 V, ID 400 mA, SOT-23 de 3 pines, 2elementos
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje400 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,625 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK40E06N1, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 3,753 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 3)
MOSFET Toshiba TK20A60W,S5VX(M, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 1,038 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TPN3R704PL, VDSS 40 V, ID 92 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje92 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoTSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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