- Código RS:
- 796-5061
- Referência do fabricante:
- GT50JR21
- Fabricante:
- Toshiba
- Código RS:
- 796-5061
- Referência do fabricante:
- GT50JR21
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
Disipación de Potencia Máxima | 230 W |
Tipo de Encapsulado | TO-3P |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.5 x 4.5 x 20mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |