- Código RS:
- 168-7763
- Referência do fabricante:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
- Código RS:
- 168-7763
- Referência do fabricante:
- GT15J341
- Fabricante:
- Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- JP
Detalhes do produto
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 15 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 100kHz |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 10 x 4.5 x 15mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |