Infineon

Semiconductores Discretos

CATEGORIAS

A ver 1 - 20 de 4801 produtos
Comparar selecionados 0/8
Ver como:
Preço
(I.V.A. não incluído)
Descrição
Detalhes do produto
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • 3,078 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • 1,93 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,59 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 8,416 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,35 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 8,564 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • 4,379 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • 5,62 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 8,495 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • 4,838 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • 1,332 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 6,56 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • 1,205 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,46 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 6,572 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 30,34 €unitário
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector37 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima115 W
  • Tipo de EncapsuladoEASY1B
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, SPP20N60C3HKSA1, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB CoolMOS C3 Simple Si
  • 9,24 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, SPP20N60C3HKSA1, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB CoolMOS C3 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje21 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 8,44 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, SPP20N60C3HKSA1, N-Canal-Canal, 20,7 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB CoolMOS C3 Simple Si
  • 7,592 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, SPP20N60C3HKSA1, N-Canal-Canal, 20,7 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB CoolMOS C3 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20,7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Pesquisas feitas
Perguntas frequentes
Necessita de ajuda para utilizar a página web?
Contacte-nos através do telefone:
800 102 037 (opção 1)
Serviços
Sobre a RS
Assuntos de interesse
Contacte-nos
800 102 037
© Amidata S.A.U.
Avenida de Bruselas, 6, 28108 - Alcobendas - Madrid - Espanha
Payment options