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Detalhes do produto
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • 1,908 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • 3,044 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 11,11 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 10,049 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 10,12 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • 4,313 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • 4,782 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,146 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 11,11 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • 1,33 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • 9,054 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • 1,196 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 10,05 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 10,07 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 11,39 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 10,239 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 203,569 €
    unitário (Em caixa de 10)
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • Tipo de EncapsuladoEcono3
Consulte produtos similares em IGBT
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 30,34 €unitário
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector37 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima115 W
  • ConfiguraciónPuente trifásico
Consulte produtos similares em IGBT
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 188,40 €unitário
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • Tipo de EncapsuladoECONO3
Consulte produtos similares em IGBT
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • 0,258 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
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