Infineon

Semiconductores Discretos

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Descrição
Detalhes do produto
  • 2,123 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieOptiMOS 5
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
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  • 1,078 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • SerieOptiMOS 5
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  • 5,90 €unitário
MOSFET Infineon IRFP4468PBF, VDSS 100 V, ID 290 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
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  • 5,058 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4468PBF, VDSS 100 V, ID 290 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
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  • 0,781 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SerieHEXFET
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  • 2,992 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
  • 3,504 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieSIPMOS
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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  • 3,10 €unitário
MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
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  • 5,95 €unitário
MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
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  • 0,974 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SerieHEXFET
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  • 5,092 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
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  • 3,03 €unitário
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 3,028 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieSIPMOS
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  • 3,044 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 143,07 €unitário
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • ConfiguraciónPuente trifásico
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  • 7,31 €unitário
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
  • 30,34 €unitário
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector37 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima115 W
  • Tipo de EncapsuladoEASY1B
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  • 0,044 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
  • 6,206 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
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  • 135,674 €
    unitário (Em caixa de 10)
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • ConfiguraciónPuente trifásico
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