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Detalhes do produto
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • 1,874 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • 2,987 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, BSC028N06NSATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 5 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 10,92 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,871 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4468PBF, N-Canal-Canal, 290 A, 100 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 8,984 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 6,91 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • 1,30 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • 1,176 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, IRLB8721PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,94 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4568PBF, N-Canal-Canal, 171 A, 150 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • 5,911 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 9,871 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • 4,698 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • 10,92 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, IRFP4668PBF, N-Canal-Canal, 130 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC HEXFET Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • 4,236 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, SPP80P06PHXKSA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, TO-220 SIPMOS Simple Si
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • 0,254 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
Transistor, BC847CE6327HTSA1, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 250 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 8,89 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 30,34 €unitário
Módulo IGBT, FP30R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 37 A, 600 V, EASY1B, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector37 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima115 W
  • Tipo de EncapsuladoEASY1B
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET, SPP20N60C3HKSA1, N-Canal-Canal, 20,7 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB CoolMOS C3 Simple Si
  • 4,877 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET, SPP20N60C3HKSA1, N-Canal-Canal, 20,7 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB CoolMOS C3 Simple Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20,7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 150,627 €
    unitário (Em caixa de 10)
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • Tipo de EncapsuladoEcono3
Consulte produtos similares em IGBT
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 167,08 €unitário
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • ConfiguraciónPuente trifásico
Consulte produtos similares em IGBT
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