IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

  • Código RS 911-4798
  • Referência do fabricante IKW50N60TFKSA1
  • Fabricante Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): DE
Detalhes do produto

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Disipación de Potencia Máxima 333 W
Tipo de Encapsulado TO-247
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Dimensiones 16.03 x 21.1 x 5.16mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
810 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em Tubo de 30)
4,585
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tubo*
30 +
4,585 €
137,55 €
*preço indicativo