MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 906-4296P
- Referência do fabricante:
- BSC028N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
820 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua
2,017 €
| Unidades | Por unidade |
| 50 - 90 | 2,017 € |
| 100 - 240 | 1,931 € |
| 250 - 490 | 1,847 € |
| 500 + | 1,719 € |
- Código RS:
- 906-4296P
- Referência do fabricante:
- BSC028N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Legislação e Conformidade
Estado RoHS: Não aplicável
Detalhes do produto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Serie | OptiMOS 5 |
| Tipo de Encapsulado | TDSON |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4,2 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Disipación de Potencia Máxima | 83 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 6.1mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 37 nC a 10 V |
| Ancho | 5.35mm |
| Altura | 1.1mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |