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Descrição
Detalhes do produto
Infineon Power Switch IC BTS50055-1TMC
  • 2,634 €
    unitário (Fornecido em carretes de 1000)
Infineon Power Switch IC BTS50055-1TMC
  • Topología de interruptor de alimentaciónLado alto
  • Power Switch TypeLado alto
  • Número de Canales1
  • Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento34 V
  • Corriente de Funcionamiento Máxima70A
Consulte produtos similares em Circuitos Integrados de Interruptor de Alimentación
Controlador PWM ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz 1, DIP, 8 pines
  • 2,761 €
    unitário (Em Tubo de 50)
Controlador PWM ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz 1, DIP, 8 pines
  • Frecuencia de Conmutación Máxima65 kHz
  • Tensión de Salida650 V
  • Corriente de Salida9,95 A
  • Método de ControlCorriente
  • Número de Salidas1
Consulte produtos similares em Modulación por Ancho de Pulsos PWM
Controlador PWM ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz 1, DIP, 8 pines
  • 3,085 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Controlador PWM ICE3BR0665JXKLA1, 65 kHz 1, DIP, 8 pines
  • Frecuencia de Conmutación Máxima65 kHz
  • Tensión de Salida650 V
  • Corriente de Salida9,95 A
  • Método de ControlCorriente
  • Número de Salidas1
Consulte produtos similares em Modulación por Ancho de Pulsos PWM
Debugger ARM Cortex
  • 85,73 €unitário
Debugger ARM Cortex
  • Tipo de ProductoDepurador
  • Nombre del kitXMC
Consulte produtos similares em Depuradores y Emuladores en Circuito
  • Código RS
    111-3727
  • Fabricante
    Infineon
  • Referência do fabricante
    KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1
MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
  • 1,937 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
  • SerieOptiMOS™ 5
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
  • 1,087 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieOptiMOS™ 5
  • Tipo de EncapsuladoTDSON
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRFP4468PBF, VDSS 100 V, ID 290 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 7,45 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Infineon IRFP4468PBF, VDSS 100 V, ID 290 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRFP4468PBF, VDSS 100 V, ID 290 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
  • 5,858 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4468PBF, VDSS 100 V, ID 290 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje290 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 2,668 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieSIPMOS®
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 5,672 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • 0,974 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • 0,723 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Infineon IRLB8721PBF, VDSS 30 V, ID 62 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
  • 5,696 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • 4,675 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 7,02 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje171 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente150 V
  • SerieHEXFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • 7,35 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje130 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AC
  • SerieHEXFET
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 3,34 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje80 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieSIPMOS®
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 6,02 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima333 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 6,001 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima428 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • 136,346 €
    unitário (Em caixa de 10)
Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico
  • Corriente Máxima Continua del Colector100 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima355 W
  • Tipo de EncapsuladoEcono3
Consulte produtos similares em IGBT
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