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Semiconductores Discretos

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Diodo, UF4005, Recuperación rápida, 1A, 600V Conexión de silicio, 75ns, DO-41, 2-Pines 1.7V
  • 0,086 €
    unitário (Fornecido em Tiras de 5000)
Diodo, UF4005, Recuperación rápida, 1A, 600V Conexión de silicio, 75ns, DO-41, 2-Pines 1.7V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoDO-41
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico600V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Diodo de conmutación, RHRP8120 Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 3.2V
  • 0,737 €
    unitário (Em Tubo de 50)
Diodo de conmutación, RHRP8120 Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 3.2V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte produtos similares em Diodo de Conmutación
Transistor, MJL1302AG, PNP -15 A -260 V TO-264, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • 4,18 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, MJL1302AG, PNP -15 A -260 V TO-264, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-15 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-260 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-264
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Diodo, RURG80100, Conmutación, 80A, 1000V Conexión de silicio, 200ns, TO-247, 2-Pines 1.9V
  • 2,78 €
    unitário (Em Tubo de 30)
Diodo, RURG80100, Conmutación, 80A, 1000V Conexión de silicio, 200ns, TO-247, 2-Pines 1.9V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Corriente Continua Máxima Directa80A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico1000V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
onsemi 4.6 x 3.95 x 2.28mm Simple 1SMB5947BT3G +150 °C 3 W 1μA 160Ω -65 °C Montaje superficial 82V 1 -65 → +150
  • 0,182 €
    unitário (Fornecido em Tiras de 50)
  • Também disponível no formato de produção industrial
onsemi 4.6 x 3.95 x 2.28mm Simple 1SMB5947BT3G +150 °C 3 W 1μA 160Ω -65 °C Montaje superficial 82V 1 -65 → +150
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener82V
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Disipación de Potencia Máxima3 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Transistor Darlington, TIP102G, NPN 8 A, 100 V, HFE:200, TO-220AB, 3 pines Simple
  • 1,39 €unitário
Transistor Darlington, TIP102G, NPN 8 A, 100 V, HFE:200, TO-220AB, 3 pines Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente Máxima Continua del Colector8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base5 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte produtos similares em Pares Darlington
onsemi 5.21 x 2.72 x 2.72mm Simple BZX85C15 +200 °C 1 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 15V 1 -65 →
  • 0,177 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
onsemi 5.21 x 2.72 x 2.72mm Simple BZX85C15 +200 °C 1 W 500nA 15Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 15V 1 -65 →
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener15V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima1 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Diodo, RB751V40T1G, 30mA, 40V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines
  • 0,026 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo, RB751V40T1G, 30mA, 40V Barrera Schottky, SOD-323, 2-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOD-323
  • Corriente Continua Máxima Directa30mA
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico40V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
onsemi 8.89 x 3.68 x 3.68mm Simple 1N5357BRLG +200 °C 5 W 500nA 3Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 20V 1 DO-15 2
  • 0,145 €
    unitário (Fornecido em carretes de 4000)
onsemi 8.89 x 3.68 x 3.68mm Simple 1N5357BRLG +200 °C 5 W 500nA 3Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 20V 1 DO-15 2
  • Tensión Nominal de Zener20V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima5 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
MOSFET onsemi FQP30N06L, VDSS 60 V, ID 32 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
  • 1,73 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET onsemi FQP30N06L, VDSS 60 V, ID 32 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje32 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieQFET
Consulte produtos similares em MOSFET
JFET, MMBFJ112, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
  • 0,272 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
  • Também disponível no formato de produção industrial
JFET, MMBFJ112, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión IdssMin. 5mA
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-35 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador35V
  • ConfiguraciónÚnico
Consulte produtos similares em JFET
Diodo, MRA4004T3G, Conmutación, 1A, 400V Conexión de silicio, DO-214AC (SMA), 2-Pines 1.18V
  • 0,231 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo, MRA4004T3G, Conmutación, 1A, 400V Conexión de silicio, DO-214AC (SMA), 2-Pines 1.18V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDO-214AC (SMA)
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico400V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Transistor, SS8050DTA, NPN 1,5 A 25 V TO-92, 3 pines, Simple
  • 0,284 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, SS8050DTA, NPN 1,5 A 25 V TO-92, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector1,5 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor25 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Transistor, MJE15030G, NPN 8 A 150 V TO-220AB, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • 1,33 €unitário
Transistor, MJE15030G, NPN 8 A 150 V TO-220AB, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Diodo, MBRS140T3G, Rectificador Schottky, 1A, 40V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 600mV
  • 0,103 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
Diodo, MBRS140T3G, Rectificador Schottky, 1A, 40V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 600mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDO-214AA (SMB)
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico40V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Diodo de conmutación, MMSD4148T1G Conexión de silicio, SOD-123, 2-Pines 1V
  • 0,021 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo de conmutación, MMSD4148T1G Conexión de silicio, SOD-123, 2-Pines 1V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de EncapsuladoSOD-123
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte produtos similares em Diodo de Conmutación
Diodo de protección ESD Bidireccional, NUF2042XV6T1G, 0.22W, SOT-563, 6-Pines
  • 0,142 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo de protección ESD Bidireccional, NUF2042XV6T1G, 0.22W, SOT-563, 6-Pines
  • Tipo de DirecciónBidireccional
  • Configuración de diodoMatriz compleja
  • Tensión Mínima de Ruptura5.6V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOT-563
Consulte produtos similares em Diodos TVS
onsemi 4.32 x 2.6 x 2mm Simple 1SMA5931BT3G +150 °C 1,5 W 500nA 12Ω -65 °C Montaje superficial 18V 1 SMA 2 Diodo zener
  • 0,093 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
onsemi 4.32 x 2.6 x 2mm Simple 1SMA5931BT3G +150 °C 1,5 W 500nA 12Ω -65 °C Montaje superficial 18V 1 SMA 2 Diodo zener
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener18V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima1,5 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Transistor, BC817-25LT3G, NPN 500 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,098 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, BC817-25LT3G, NPN 500 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector500 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Simple MMSZ5235BT1G +150 °C 500 mW 3μA 5Ω -55 °C Montaje superficial 6.8V 1 SOD-123 2 Diodo
  • 0,027 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Simple MMSZ5235BT1G +150 °C 500 mW 3μA 5Ω -55 °C Montaje superficial 6.8V 1 SOD-123 2 Diodo
  • Tensión Nominal de Zener6.8V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
Consulte produtos similares em Diodos Zener
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