JFET, MMBFJ112, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): CN
Detalhes do produto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificações
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente -35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador 35V
Configuración Único
Configuración de transistor Simple
Resistencia Máxima Drenador-Fuente Ω50
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOT-23
Conteo de Pines 3
Capacidad Drenador-Fuente 28pF
Capacidad Fuente-Puerta 28pF
Dimensiones 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Ancho 1.3mm
Altura 0.93mm
Longitud 2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
975 Disponível para entrega em 24/48 horas.
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
0,254
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Pack*
25 - 225
0,254 €
6,35 €
250 - 725
0,116 €
2,90 €
750 - 1475
0,10 €
2,50 €
1500 - 2975
0,085 €
2,125 €
3000 +
0,076 €
1,90 €
*preço indicativo
Opções de embalagem: