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Semiconductores Discretos

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Semiconductores Discretos
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Descrição
Detalhes do produto
Transistor, MPS2907AG, PNP 600 mA 60 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, MPS2907AG, PNP 600 mA 60 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector600 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK32CTWG, PNP 3 A -100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,79 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor bipolar, NJVMJK32CTWG, PNP 3 A -100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector3 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-100 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
MOSFET ON Semiconductor NTH4L040N120M3S, VDSS 1200 V, ID 54 A, TO-247-4L de 4 pines
  • 10,469 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET ON Semiconductor NTH4L040N120M3S, VDSS 1200 V, ID 54 A, TO-247-4L de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje54 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK32CTWG, PNP 3 A -100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,92 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor bipolar, NJVMJK32CTWG, PNP 3 A -100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector3 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-100 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK45H11TWG, PNP 8 A -80 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,774 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor bipolar, NJVMJK45H11TWG, PNP 8 A -80 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-80 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
Transistor bipolar, MJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,727 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor bipolar, MJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector3 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor100 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,91 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor bipolar, NJVMJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector3 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor100 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
IGBT, FGY75T120SWD, N-Canal, 150 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • 8,10 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, FGY75T120SWD, N-Canal, 150 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector150 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima714 W
  • Tipo de EncapsuladoTO247-3LD
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
MOSFET ON Semiconductor NTH4L040N120M3S, VDSS 1200 V, ID 54 A, TO-247-4L de 4 pines
  • 12,19 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET ON Semiconductor NTH4L040N120M3S, VDSS 1200 V, ID 54 A, TO-247-4L de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje54 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
IGBT, FGB20N60SFD_F085, N-Canal, 40 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
  • 2,66 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, FGB20N60SFD_F085, N-Canal, 40 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector40 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima208 W
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,782 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor bipolar, NJVMJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector3 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor100 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
MOSFET ON Semiconductor NTH4L020N090SC1, VDSS 900 V, ID 116 A, TO-247-4L de 4 pines
  • 21,329 €
    unitário (Em Tubo de 450)
MOSFET ON Semiconductor NTH4L020N090SC1, VDSS 900 V, ID 116 A, TO-247-4L de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje116 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente900 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK45H11TWG, PNP 8 A -80 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,902 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor bipolar, NJVMJK45H11TWG, PNP 8 A -80 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-80 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
MOSFET ON Semiconductor NTHL022N120M3S, VDSS 1200 V, ID 89 A, TO-247-4L de 4 pines
  • 24,917 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET ON Semiconductor NTHL022N120M3S, VDSS 1200 V, ID 89 A, TO-247-4L de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje89 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
Transistor bipolar, NJVMJK44H11TWG, NPN 8 A 80 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,902 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor bipolar, NJVMJK44H11TWG, NPN 8 A 80 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor80 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
MOSFET ON Semiconductor NTHL022N120M3S, VDSS 1200 V, ID 89 A, TO-247-4L de 4 pines
  • 27,60 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET ON Semiconductor NTHL022N120M3S, VDSS 1200 V, ID 89 A, TO-247-4L de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje89 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
IGBT, FGY100T120RWD, N-Canal, 200 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • 10,96 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, FGY100T120RWD, N-Canal, 200 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector200 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1.07 kW
  • ConfiguraciónÚnico
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
Transistor bipolar, MJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • 0,846 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor bipolar, MJK31CTWG, NPN 3 A 100 V dc LFPAK4, 4 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector3 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor100 V dc
  • Tipo de EncapsuladoLFPAK4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
IGBT, FGY100T120RWD, N-Canal, 200 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • 9,413 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, FGY100T120RWD, N-Canal, 200 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector200 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima1.07 kW
  • Tipo de EncapsuladoTO247-3LD
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
IGBT, FGY75T120SWD, N-Canal, 150 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • 6,95 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, FGY75T120SWD, N-Canal, 150 A, 1200 V, TO247-3LD, 3-Pines
  • Corriente Máxima Continua del Colector150 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima714 W
  • ConfiguraciónÚnico
Consulte produtos similares em IGBT
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