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Semiconductores Discretos

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Semiconductores Discretos
(3) Diodos Schottky y Rectificadores
(6) Diodos TVS
(15) Diodos Zener
(7) IGBT
(90) MOSFET
(3) Transistores Bipolares
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Descrição
Detalhes do produto
Transistor, MPS2907AG, PNP 600 mA 60 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, MPS2907AG, PNP 600 mA 60 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector600 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
MOSFET, NTH4LN040N65S3H, N-Canal-Canal, 62 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SUPERFET III Si
  • 9,92 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, NTH4LN040N65S3H, N-Canal-Canal, 62 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SUPERFET III Si
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTBLS1D7N08H-1, N-Canal-Canal, 203 A, 80 V, 8-Pin, M0-299A
  • 1,633 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
MOSFET, NTBLS1D7N08H-1, N-Canal-Canal, 203 A, 80 V, 8-Pin, M0-299A
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje203 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoM0-299A
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTD360N65S3H-1, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, DPAK SUPERFET III
  • 0,544 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
MOSFET, NTD360N65S3H-1, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, DPAK SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
Módulo de potencia inteligente, NFAQ1560R43T-1, N-Canal, 600 V, DIP, 38-Pines 6 Serie
  • 6,102 €
    unitário (Em Tubo de 400)
Módulo de potencia inteligente, NFAQ1560R43T-1, N-Canal, 600 V, DIP, 38-Pines 6 Serie
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Disipación de Potencia Máxima50 W
  • Número de transistores6
  • Tipo de EncapsuladoDIP
  • Tipo de CanalN
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
MOSFET, NTMC083NP10M5L, Dual, P-Canal, 4,5 A, 100 V, 8-Pin, SOIC NTMC0
  • 5,25 €unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, NTMC083NP10M5L, Dual, P-Canal, 4,5 A, 100 V, 8-Pin, SOIC NTMC0
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4,5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTH4L060N090SC1-1, N-Canal-Canal, 46 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC
  • 6,465 €
    unitário (Em Tubo de 450)
MOSFET, NTH4L060N090SC1-1, N-Canal-Canal, 46 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje46 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTPF095N65S3H-1, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 SUPERFET III
  • 3,155 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, NTPF095N65S3H-1, N-Canal-Canal, 30 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple NULL +200 °C 500 mW 5μA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 6.2V 1 DO-35 2 Diodo
  • 0,024 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple NULL +200 °C 500 mW 5μA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 6.2V 1 DO-35 2 Diodo
  • Tensión Nominal de Zener6.2V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Novo
MOSFET, NTD360N65S3H-1, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, DPAK SUPERFET III
  • 1,276 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, NTD360N65S3H-1, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, DPAK SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NVTFS4C02NWFTAG-1, N-Canal-Canal, 162 A, 30 V, 8-Pin, WDFN8
  • 1,276 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, NVTFS4C02NWFTAG-1, N-Canal-Canal, 162 A, 30 V, 8-Pin, WDFN8
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje162 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoWDFN8
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
Módulo de potencia SiC, NXH006P120MNF2PTG-1, N-Canal-Canal, 304 A, 1200 V, 36-Pin, F2 SiC
  • 254,77 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
Módulo de potencia SiC, NXH006P120MNF2PTG-1, N-Canal-Canal, 304 A, 1200 V, 36-Pin, F2 SiC
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje304 A.
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1.200 V
  • Tipo de EncapsuladoF2
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTPF250N65S3H-1, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 SUPERFET III
  • 1,163 €
    unitário (Em Tubo de 1000)
MOSFET, NTPF250N65S3H-1, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje13 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTD250N65S3H-1, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, DPAK SUPERFET III
  • 0,759 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
MOSFET, NTD250N65S3H-1, N-Canal-Canal, 13 A, 650 V, 3-Pin, DPAK SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje13 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Diodo, NULL, 500mA, 100V Conexión de silicio, 4ns, DO-35, 2-Pines 1V, Conexión de silicio
  • 0,019 €
    unitário (Fornecido em carretes de 10000)
Diodo, NULL, 500mA, 100V Conexión de silicio, 4ns, DO-35, 2-Pines 1V, Conexión de silicio
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoDO-35
  • Corriente Continua Máxima Directa500mA
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico100V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Novo
MOSFET, NTMT125N65S3H-1, N-Canal-Canal, 24 A, 650 V, 8-Pin, TDFN4 SUPERFET III
  • 1,816 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET, NTMT125N65S3H-1, N-Canal-Canal, 24 A, 650 V, 8-Pin, TDFN4 SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje24 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTDFN4
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTH4L045N065SC1-1, N-Canal-Canal, 55 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC
  • 5,171 €
    unitário (Em Tubo de 450)
MOSFET, NTH4L045N065SC1-1, N-Canal-Canal, 55 A, 650 V, 4-Pin, TO-247 SiC Power SiC
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje55 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTBGS004N10G-1, N-Canal-Canal, 203 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK-7L SiC Power SiC
  • 2,131 €
    unitário (Fornecido em carretes de 800)
MOSFET, NTBGS004N10G-1, N-Canal-Canal, 203 A, 100 V, 7-Pin, D2PAK-7L SiC Power SiC
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje203 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK-7L
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, FCPF600N65S3R0L-F154-1, N-Canal-Canal, 6 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F SUPERFET III
  • 1,378 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET, FCPF600N65S3R0L-F154-1, N-Canal-Canal, 6 A, 650 V, 3-Pin, TO-220F SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje6 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220F
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
MOSFET, NTPF190N65S3H-1, N-Canal-Canal, 16 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 SUPERFET III
  • 1,141 €
    unitário (Em Tubo de 1000)
MOSFET, NTPF190N65S3H-1, N-Canal-Canal, 16 A, 650 V, 3-Pin, TO-220 SUPERFET III
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje16 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
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