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Semiconductores Discretos

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Descrição
Detalhes do produto
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
Transistor, MPS2907AG, PNP 600 mA 60 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector600 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Novo
  • 114,589 €
    unitário (Em tabuleiro de 21)
Módulo IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3
  • Número de transistores3
  • Disipación de Potencia Máxima156 W
  • Tipo de EncapsuladoIMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo)
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
  • 117,487 €
    unitário (Em tabuleiro de 28)
Módulo de potencia SiC, NXH010P120MNF1PTG, 114 A, 1200 V, F1-2PACK
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje114 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoF1-2PACK
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
  • 53,18 €
    unitário (Em tabuleiro de 24)
Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
  • Disipación de Potencia Máxima69 W
  • Número de transistores2
  • Tipo de EncapsuladoQ0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros)
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
  • 114,89 €unitário
Módulo IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3
  • Número de transistores3
  • Disipación de Potencia Máxima156 W
  • Tipo de EncapsuladoIMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo)
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
  • 136,81 €unitário
Módulo de potencia SiC, NXH010P120MNF1PTG, 114 A, 1200 V, F1-2PACK
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje114 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoF1-2PACK
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
  • 152,36 €unitário
Módulo IGBT, NXH400N100H4Q2F2SG, 409 A., 1.000 V, 93x47 (contacto DE SOLDADURA) (sin plomo/sin haluros), PIM44 4
  • Corriente Máxima Continua del Colector409 A.
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.000 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima959 W
  • Número de transistores4
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
  • 58,41 €unitário
Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
  • Número de transistores2
  • Disipación de Potencia Máxima69 W
  • Tipo de EncapsuladoQ0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros)
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
  • 64,77 €unitário
Módulo de potencia SiC, NXH040P120MNF1PTG, 30 A, 1200 V, F1-2PACK
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente1200 V
  • Tipo de EncapsuladoF1-2PACK
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
  • 12,164 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET, NTH4L060N065SC1, N-Canal-Canal, 47 A, 650 V, TO247-4L
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje47 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO247-4L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Novo
  • 122,08 €unitário
Módulo IGBT, NXH020F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM)
  • Disipación de Potencia Máxima119 W
  • Número de transistores4
  • Tipo de EncapsuladoContactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM) preaplicado (sin Pb ni haluros)
Consulte produtos similares em IGBT
Novo
  • 66,128 €
    unitário (Em tabuleiro de 24)
Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0SG, 61 A, 1.200 V, Contactos de soldadura Case 180AJ (sin plomo y sin haluros) 2
  • Corriente Máxima Continua del Colector61 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Número de transistores2
  • Disipación de Potencia Máxima186 W
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Novo
  • 71,113 €
    unitário (Em tabuleiro de 24)
Módulo IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
  • Disipación de Potencia Máxima118 W
  • Número de transistores2
  • Tipo de EncapsuladoQ0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros)
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Novo
  • 70,96 €unitário
Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2
  • Corriente Máxima Continua del Colector61 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima186 W
  • Número de transistores2
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Novo
  • 1,558 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET, NTTFS012N10MDTAG, N-Canal-Canal, 9,2 A, 100 V, WDFN
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje9,2 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoWDFN
  • Tipo de MontajeSMD
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Novo
  • 46,80 €unitário
Módulo IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, 75 A, 1.200 V, Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4
  • Corriente Máxima Continua del Colector75 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Número de transistores4
  • Disipación de Potencia Máxima188 W
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Novo
  • 15,635 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET, NTHL025N065SC1, N-Canal-Canal, 99 A, 650 V, TO247-3L
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje99 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO247-3L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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Novo
  • 11,88 €unitário
MOSFET, NTHL060N065SC1, N-Canal-Canal, 47 A, 650 V, TO247-3L
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje47 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO247-3L
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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Novo
  • 0,771 €
    unitário (Fornecido em carretes de 1500)
Novo
  • 3,03 €unitário
MOSFET, NTMFS3D2N10MDT1G, N-Canal-Canal, 142 A, 100 V, DFN5 5x6
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje142 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoDFN5 5x6
  • Tipo de MontajeSMD
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