Semiconductores Discretos
CATEGORIAS
Preço (I.V.A. não incluído) | Descrição | Detalhes do produto |
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Transistor, MPS2907AG, PNP 600 mA 60 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
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Novo
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Módulo IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3
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Novo
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Módulo de potencia SiC, NXH010P120MNF1PTG, 114 A, 1200 V, F1-2PACK
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Novo
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Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
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Novo
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Módulo IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3
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Novo
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Módulo de potencia SiC, NXH010P120MNF1PTG, 114 A, 1200 V, F1-2PACK
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Módulo IGBT, NXH400N100H4Q2F2SG, 409 A., 1.000 V, 93x47 (contacto DE SOLDADURA) (sin plomo/sin haluros), PIM44 4
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Novo
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Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
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Módulo de potencia SiC, NXH040P120MNF1PTG, 30 A, 1200 V, F1-2PACK
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MOSFET, NTH4L060N065SC1, N-Canal-Canal, 47 A, 650 V, TO247-4L
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Módulo IGBT, NXH020F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM)
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Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0SG, 61 A, 1.200 V, Contactos de soldadura Case 180AJ (sin plomo y sin haluros) 2
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Novo
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Módulo IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
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Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2
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MOSFET, NTTFS012N10MDTAG, N-Canal-Canal, 9,2 A, 100 V, WDFN
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Módulo IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, 75 A, 1.200 V, Q0PACK - Caja 180AB (sin plomo y sin haluros) 4
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Novo
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MOSFET, NTHL025N065SC1, N-Canal-Canal, 99 A, 650 V, TO247-3L
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MOSFET, NTHL060N065SC1, N-Canal-Canal, 47 A, 650 V, TO247-3L
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MOSFET, NTMFS3D2N10MDT1G, N-Canal-Canal, 142 A, 100 V, DFN5 5x6
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Pesquisas feitas
