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Semiconductores Discretos

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Descrição
Detalhes do produto
  • 5,083 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Toshiba TK090Z65Z,S1F(O, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieTK090Z65Z
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,069 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba SSM3J338R,LF(T, VDSS 12 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje6 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente12 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 3,05 €unitário
MOSFET Toshiba TK100E08N1, VDSS 80 V, ID 214 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje214 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,213 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
Transistor MOSFET Toshiba TPC6108(TE85L,F), VDSS 30 V, ID 4.5 A, VS de 6 pines
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje4.5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoVS
  • SerieU-MOSⅣ
Consulte produtos similares em MOSFET
  • Código RS
    415-336
  • Fabricante
    Toshiba
  • Referência do fabricante
    TPC6108(TE85L,F)
  • 0,034 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 250)
MOSFET Toshiba T2N7002AK,LM(T, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje200 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 3,50 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK10J80E, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,222 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba SSM3K361R,LF(B, VDSS 100 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3,5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 3,003 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Toshiba TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje9 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente900 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • SerieTK
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  • 0,343 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
MOSFET Toshiba TJ15P04M3, VDSS 40 V, ID 15 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje15 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 1,411 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje11,5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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  • 0,63 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
MOSFET Toshiba TPN3R704PL, VDSS 40 V, ID 92 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje92 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoTSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,437 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje65 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,058 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3,5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,196 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
Transistor JFET, 2SK2145-BL(TE85L,F), N-Canal, SMV, 5-Pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss14mA
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-50 V
  • Tipo de EncapsuladoSMV
  • Conteo de Pines5
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  • Código RS
    236-3558
  • Fabricante
    Toshiba
  • Referência do fabricante
    2SK2145-BL(TE85L,F)
  • 1,769 €
    unitário (Em Tubo de 50)
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima45 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 6,04 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30,8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoDFN
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,012 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 500)
Transistor, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
  • 0,392 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje55 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,027 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba SSM6N7002KFU,LF(T, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines, 2elementos
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje300 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoUS6
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,233 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
Diodo, CRS10I30A(TE85L,QM, Rectificador Schottky, 1A, 30V Barrera Schottky, S-PLANO, 2-Pines 390mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoS-PLANO
  • Corriente Continua Máxima Directa1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
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