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Semiconductores Discretos

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Semiconductores Discretos
(12) Diodos Schottky y Rectificadores
(10) IGBT
(6) JFET
(161) MOSFET
(9) Transistores Bipolares
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IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 4,22 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • 2,889 €
    unitário (Em Tubo de 50)
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
Transistor, 2SC3326-A(TE85L,F), NPN 300 mA 20 V SOT-346 (SC-59), 3 pines, Simple
  • 0,107 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
Transistor, 2SC3326-A(TE85L,F), NPN 300 mA 20 V SOT-346 (SC-59), 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector300 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor20 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-346 (SC-59)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET Toshiba TK20E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 2,338 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK20E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK20E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 3,872 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TK20E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • 0,911 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 1,25 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje56 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK16A60W5,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 15,8 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 2,237 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK16A60W5,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 15,8 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje15,8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 2,068 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 4)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje56 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • 0,127 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
JFET, 2SK208-R(TE85L,F), N-Canal, 10 V, Único, SOT-346 (SC-59), 3-Pines Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss0.3 to 0.75mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente10 V
  • Tensión Máxima Puerta-Fuente-30 V
  • Tensión Máxima Puerta-Drenador-50V
Consulte produtos similares em JFET
MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • 1,271 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TK65S04N1L, VDSS 40 V, ID 65 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje65 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,38 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje55 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK46A08N1,S4X(S, VDSS 80 V, ID 46 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 0,766 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK46A08N1,S4X(S, VDSS 80 V, ID 46 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje46 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK40E10N1,S1X(S, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,887 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK40E10N1,S1X(S, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje90 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK090Z65Z,S1F(O, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines
  • 5,083 €
    unitário (Em Tubo de 25)
MOSFET Toshiba TK090Z65Z,S1F(O, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • SerieTK090Z65Z
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • 9,917 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje62 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • 0,548 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
  • 0,926 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje43 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Toshiba TK42A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 42 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • 0,987 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Toshiba TK42A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 42 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje42 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
Consulte produtos similares em MOSFET
Diodo, CRS15I30B, 1.5A, 30V Schottky, S-PLANO, 2-Pines 460mV
  • 0,086 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo, CRS15I30B, 1.5A, 30V Schottky, S-PLANO, 2-Pines 460mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoS-PLANO
  • Corriente Continua Máxima Directa1.5A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
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