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Semiconductores Discretos

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Descrição
Detalhes do produto
  • 4,22 €unitário
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector30 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima170 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
  • 0,515 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
MOSFET Toshiba TK40A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje60 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,102 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
Diodo de conmutación, CUS10S30,H3F(T, 5A, 30V Barrera Schottky, USC, 2-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoUSC
  • Corriente Continua Máxima Directa5A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico30V
  • Tipo de RectificadorDiodo Schottky
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
  • 0,334 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
MOSFET Toshiba TPN2R304PL, VDSS 40 V, ID 100 A, TSON de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoTSON
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,067 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
MOSFET Toshiba SSM3K37MFV, VDSS 20 V, ID 250 mA, SOT-723 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje250 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-723
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,02 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba T2N7002BK, VDSS 60 V, ID 400 mA, SOT-23 de 3 pines, 2elementos
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje400 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 0,622 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TPH4R50ANH, VDSS 100 V, ID 93 A, SOP de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje93 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoSOP
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 2,81 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 4)
MOSFET Toshiba TK100A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje100 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
  • SerieTK
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  • 1,25 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TPH8R80ANH, VDSS 100 V, ID 59 A, SOP avanzado de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje59 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieTPH
  • Tipo de EncapsuladoSOP avanzado
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  • 0,30 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba TPH3R704PC,LQ(S, VDSS 40 V, ID 82 A, SOP de 8 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje82 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • SerieTPH3R704PC
  • Tipo de EncapsuladoSOP
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  • 5,05 €unitário
MOSFET Toshiba TK090Z65Z,S1F(O, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje30 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-247-4
  • SerieTK090Z65Z
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  • 3,50 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK10J80E, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente800 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
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  • 0,222 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET Toshiba SSM3K361R,LF(B, VDSS 100 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3,5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 1,38 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TK72E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 72 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje72 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente120 V
  • SerieTK
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
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  • 0,058 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3,5 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
  • 1,769 €
    unitário (Em Tubo de 50)
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima45 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 0,012 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
  • 2,63 €unitário
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector20 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima45 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-220SIS
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  • 5,87 €unitário
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector50 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±25V
  • Disipación de Potencia Máxima230 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-3P
Consulte produtos similares em IGBT
  • 1,172 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET Toshiba TPH3R704PL, VDSS 40 V, ID 92 A, SOP de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje92 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoSOP
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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