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Detalhes do produto
IGBT, FGH40N60SMDF, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines Simple
  • 5,94 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
IGBT, FGH40N60SMDF, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima349 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247AB
Consulte produtos similares em IGBT
Transistor Darlington, TIP120TU, NPN 8 A, 60 V, HFE:1000, TO-220, 3 pines Simple
  • 0,694 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
Transistor Darlington, TIP120TU, NPN 8 A, 60 V, HFE:1000, TO-220, 3 pines Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente Máxima Continua del Colector8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base5 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em Pares Darlington
MOSFET onsemi FQP27P06, VDSS 60 V, ID 27 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • 1,612 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET onsemi FQP27P06, VDSS 60 V, ID 27 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje27 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieQFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, D45H8G, PNP -10 A -60 V TO-220AB, 3 pines, 40 MHz, Simple
  • 0,82 €unitário
Transistor, D45H8G, PNP -10 A -60 V TO-220AB, 3 pines, 40 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-10 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET onsemi NTD20N06T4G, VDSS 60 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • 0,623 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
MOSFET onsemi NTD20N06T4G, VDSS 60 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje20 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor, D45H8G, PNP -10 A -60 V TO-220AB, 3 pines, 40 MHz, Simple
  • 0,68 €
    unitário (Em Tubo de 50)
Transistor, D45H8G, PNP -10 A -60 V TO-220AB, 3 pines, 40 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-10 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Transistor, BD13916STU, NPN 1,5 A 80 V TO-126, 3 pines, Simple
  • 0,509 €
    unitário (Em Tubo de 60)
Transistor, BD13916STU, NPN 1,5 A 80 V TO-126, 3 pines, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector1,5 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor80 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-126
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,29 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje500 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4T1G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple
  • 0,476 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4T1G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-6 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-223 (SC-73)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Transistor, BC856BLT1G, PNP -100 mA -65 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,015 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Transistor, BC856BLT1G, PNP -100 mA -65 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-65 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Diodo, MBRD835LT4G, Rectificador Schottky, 8A, 35V Barrera Schottky, DPAK (TO-252), 3-Pines
  • 0,311 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
Diodo, MBRD835LT4G, Rectificador Schottky, 8A, 35V Barrera Schottky, DPAK (TO-252), 3-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Corriente Continua Máxima Directa8A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico35V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Diodo, LL4148, Conmutación, 200mA, 100V Conexión de silicio, 4ns, SOD-80, 2-Pines 1V
  • 0,017 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
Diodo, LL4148, Conmutación, 200mA, 100V Conexión de silicio, 4ns, SOD-80, 2-Pines 1V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOD-80
  • Corriente Continua Máxima Directa200mA
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico100V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • 1,659 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • SerieMegaFET
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 1,804 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje12 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieUniFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • 1,54 €unitário
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET onsemi RFP70N06, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje70 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em MOSFET
onsemi 8.89 x 3.68 x 3.68mm Simple 1N5378BRLG +200 °C 5 W 500nA 800Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 100V 1 -65
  • 0,426 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
onsemi 8.89 x 3.68 x 3.68mm Simple 1N5378BRLG +200 °C 5 W 500nA 800Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 100V 1 -65
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener100V
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Disipación de Potencia Máxima5 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Transistor, BC856BLT1G, PNP -100 mA -65 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,066 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, BC856BLT1G, PNP -100 mA -65 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-65 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
Diodo, MBRD835LT4G, Rectificador Schottky, 8A, 35V Barrera Schottky, DPAK (TO-252), 3-Pines
  • 0,71 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo, MBRD835LT4G, Rectificador Schottky, 8A, 35V Barrera Schottky, DPAK (TO-252), 3-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDPAK (TO-252)
  • Corriente Continua Máxima Directa8A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico35V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
  • Código RS
    463-981
  • Fabricante
    onsemi
  • Referência do fabricante
    MBRD835LT4G
IGBT, FGH40N60SFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • 3,909 €
    unitário (Em Tubo de 30)
IGBT, FGH40N60SFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
  • Corriente Máxima Continua del Colector80 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
  • Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
  • Disipación de Potencia Máxima290 W
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em IGBT
MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • 2,11 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje12 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
  • SerieUniFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220
Consulte produtos similares em MOSFET
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