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Semiconductores Discretos

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onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4728ATR +200 °C 1 W 100μA 10Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 3.3V 1 DO-41 2
  • 0,039 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4728ATR +200 °C 1 W 100μA 10Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 3.3V 1 DO-41 2
  • Tensión Nominal de Zener3.3V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Disipación de Potencia Máxima1 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Simple MMSZ5222BT1G +150 °C 500 mW 100μA 30Ω -55 °C Montaje superficial 2.5V 1 SOD-123 2
  • 0,032 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
onsemi 2.69 x 1.6 x 1.12mm Simple MMSZ5222BT1G +150 °C 500 mW 100μA 30Ω -55 °C Montaje superficial 2.5V 1 SOD-123 2
  • Tensión Nominal de Zener2.5V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Diodo de conmutación, RHRP8120 Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 3.2V
  • 1,942 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
Diodo de conmutación, RHRP8120 Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 3.2V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AC
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte produtos similares em Diodo de Conmutación
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4740ATR +200 °C 1 W 10μA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 10V 1 -65 →
  • 0,071 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 100)
  • Também disponível no formato de produção industrial
onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4740ATR +200 °C 1 W 10μA 7Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 10V 1 -65 →
  • Tensión Nominal de Zener10V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima1 W
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Rectificador en puente, GBPC1204, Monofásico, 12A 400V, Conexión de silicio GBPC, 4 pines
  • 2,981 €
    unitário (Em bolsa de 50)
Rectificador en puente, GBPC1204, Monofásico, 12A 400V, Conexión de silicio GBPC, 4 pines
  • Corriente Directa Media de Pico12A
  • Tipo de PuenteMonofásico
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico400V
  • Tipo de MontajeMontaje roscado
  • Tipo de EncapsuladoGBPC
Consulte produtos similares em Puentes Rectificadores
Diodo TVS Unidireccional, SD12T1G, 350W, SOD-323, 2-Pines
  • 0,073 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo TVS Unidireccional, SD12T1G, 350W, SOD-323, 2-Pines
  • Tipo de DirecciónUnidireccional
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Residual Máxima25V
  • Tensión Mínima de Ruptura13.3V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET onsemi MMBF170LT1G, VDSS 60 V, ID 500 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,233 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET onsemi MMBF170LT1G, VDSS 60 V, ID 500 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje500 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
onsemi 2.84 x 1.8 x 1.35mm Simple MMSZ4680T1G +150 °C 500 mW 4μA -55 °C Montaje superficial 2.2V 1 SOD-123 2 Diodo
  • 0,027 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
onsemi 2.84 x 1.8 x 1.35mm Simple MMSZ4680T1G +150 °C 500 mW 4μA -55 °C Montaje superficial 2.2V 1 SOD-123 2 Diodo
  • Tensión Nominal de Zener2.2V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
Consulte produtos similares em Diodos Zener
MOSFET onsemi NTK3139PT1G, VDSS 20 V, ID 870 mA, SOT-723 de 3 pines, , config. Simple
  • 0,261 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET onsemi NTK3139PT1G, VDSS 20 V, ID 870 mA, SOT-723 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje870 mA
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-723
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Diodo, MBRS2040LT3G, Rectificador Schottky, 2A, 40V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 430mV
  • 0,117 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
Diodo, MBRS2040LT3G, Rectificador Schottky, 2A, 40V Barrera Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines 430mV
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDO-214AA (SMB)
  • Corriente Continua Máxima Directa2A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico40V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
Diodo, MBRA160T3G, Rectificador Schottky, 2.1A, 60V Barrera Schottky, DO-214AC (SMA), 2-Pines
  • 0,372 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo, MBRA160T3G, Rectificador Schottky, 2.1A, 60V Barrera Schottky, DO-214AC (SMA), 2-Pines
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoDO-214AC (SMA)
  • Corriente Continua Máxima Directa2.1A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico60V
  • Configuración de diodoSimple
Consulte produtos similares em Diodos Schottky y Rectificadores
MOSFET onsemi FDB52N20TM, VDSS 200 V, ID 52 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • 1,137 €
    unitário (Fornecido em carretes de 800)
MOSFET onsemi FDB52N20TM, VDSS 200 V, ID 52 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje52 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente200 V
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
  • SerieUniFET
Consulte produtos similares em MOSFET
Diodo, MUR460G Conexión de silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.28V
  • 0,536 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo, MUR460G Conexión de silicio, DO-201AD, 2-Pines 1.28V
  • Configuración de diodoSimple
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de EncapsuladoDO-201AD
  • Tecnología de diodoConexión de silicio
Consulte produtos similares em Diodo de Conmutación
MOSFET onsemi FQA70N10, VDSS 100 V, ID 70 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • 2,088 €
    unitário (Em Tubo de 30)
MOSFET onsemi FQA70N10, VDSS 100 V, ID 70 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje70 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-3PN
  • SerieQFET
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET onsemi FDB8447L, VDSS 40 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • 1,202 €
    unitário (Fornecido em carretes de 800)
MOSFET onsemi FDB8447L, VDSS 40 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
  • SeriePowerTrench
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor Darlington, BSP52T1G, NPN 1 A, 80 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
  • 0,289 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor Darlington, BSP52T1G, NPN 1 A, 80 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente Máxima Continua del Colector1 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base5 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-223
Consulte produtos similares em Pares Darlington
Transistor, BC33740TA, NPN 800 mA 45 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,227 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor, BC33740TA, NPN 800 mA 45 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector800 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor45 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
MOSFET onsemi HUF75344G3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • 3,25 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET onsemi HUF75344G3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje75 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • SerieUltraFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-247
Consulte produtos similares em MOSFET
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple BZX79C6V2 +200 °C 500 mW 3μA 10Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 6.2V 1 DO-35 2
  • 0,027 €
    unitário (Em bolsa de 1000)
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple BZX79C6V2 +200 °C 500 mW 3μA 10Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 6.2V 1 DO-35 2
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener6.2V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
Consulte produtos similares em Diodos Zener
Transistor, BC32740TA, PNP -800 mA -45 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • 0,06 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
Transistor, BC32740TA, PNP -800 mA -45 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-800 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-45 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
Consulte produtos similares em Transistores Bipolares
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