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Descrição
Detalhes do produto
  • 0,311 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
MOSFET onsemi FDMA1023PZ, VDSS 20 V, ID 3,7 A, MicroFET 2 x 2 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3,7 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoMicroFET 2 x 2
  • SeriePowerTrench
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  • 0,08 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
Transistor, BC846BLT1G, NPN 100 mA 65 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector100 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor65 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-23
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 0,222 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 50)
Transistor, 2N3904BU, NPN 200 mA 40 V TO-92, 3 pines, 100 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor40 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 2,10 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET onsemi HUF75344P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje75 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • SerieUltraFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 2,668 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET onsemi HUF75344P3, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje75 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente55 V
  • SerieUltraFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 0,068 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 200)
Transistor, 2N3904TFR, NPN 200 mA 40 V TO-92, 3 pines, 300 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor40 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 0,089 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 200)
Transistor, 2N3904TAR, NPN 200 mA 40 V TO-92, 3 pines, 300 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor40 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 2,181 €
    unitário (Fornecido em carretes de 800)
MOSFET onsemi FDB024N08BL7, VDSS 80 V, ID 229 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje229 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente80 V
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
  • SeriePowerTrench
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  • 1,137 €
    unitário (Em Tubo de 50)
Transistor, MJE15031G, PNP -8 A -150 V TO-220AB, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 0,046 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2000)
Transistor, 2N3904TA, NPN 200 mA 40 V TO-92, 3 pines, 300 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorNPN
  • Corriente DC Máxima del Colector200 mA
  • Tensión Máxima Colector-Emisor40 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-92
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 1,35 €unitário
Transistor, MJE15031G, PNP -8 A -150 V TO-220AB, 3 pines, 30 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-8 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-150 V
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
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  • 1,556 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET onsemi FQPF9N50CF, VDSS 500 V, ID 9 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje9 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente500 V
  • SerieQFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220F
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  • 0,026 €
    unitário (Em bolsa de 1000)
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple BZX79C15 +200 °C 500 mW 50nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 15V 1 DO-35 2
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener15V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
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  • 0,179 €
    unitário (Em caixa de 1000)
onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1N5378BG +200 °C 5 W 500nA 800Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 100V 1 Surmetic
  • Configuración de diodoSimple
  • Tensión Nominal de Zener100V
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Número de Elementos por Chip1
  • Disipación de Potencia Máxima5 W
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  • 0,046 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 250)
onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple BZX79C15 +200 °C 500 mW 50nA 30Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 15V 1 -65
  • Tensión Nominal de Zener15V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Disipación de Potencia Máxima500 mW
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  • 0,638 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
Diodo, SB560, Rectificador Schottky, 5A, 60V Barrera Schottky, DO-201AD, 2-Pines 670mV
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Tipo de EncapsuladoDO-201AD
  • Corriente Continua Máxima Directa5A
  • Tensión Repetitiva Inversa de Pico60V
  • Configuración de diodoSimple
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  • 0,139 €
    unitário (Fornecido em carretes de 4000)
onsemi 8.89 x 3.68 x 3.68mm Simple 1N5378BRLG +200 °C 5 W 500nA 800Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 100V 1 DO-15 2
  • Tensión Nominal de Zener100V
  • Configuración de diodoSimple
  • Número de Elementos por Chip1
  • Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
  • Disipación de Potencia Máxima5 W
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  • 0,218 €
    unitário (Fornecido em carretes de 1000)
Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4T1G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple
  • Tipo de TransistorPNP
  • Corriente DC Máxima del Colector-6 A
  • Tensión Máxima Colector-Emisor-60 V
  • Tipo de EncapsuladoSOT-223 (SC-73)
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
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  • 1,446 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
MOSFET onsemi FQP13N10, VDSS 100 V, ID 12.8 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje12.8 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • SerieQFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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  • 1,89 €unitário
MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje50 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieMegaFET
  • Tipo de EncapsuladoTO-220AB
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