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Semiconductores Discretos

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Detalhes do produto
Diodo de protección ESD Bidireccional, TPD4E1B06DRLR, SOT-5X3
  • 0,127 €
    unitário (Fornecido em carretes de 4000)
Diodo de protección ESD Bidireccional, TPD4E1B06DRLR, SOT-5X3
  • Tipo de DirecciónBidireccional
  • Tensión Residual Máxima10.9V
  • Tensión Mínima de Ruptura9.5V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOT-5X3
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET Texas Instruments CSD25501F3T, VDSS –20 V, ID -3,6 A, PICOSTAR
  • 0,596 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Texas Instruments CSD25501F3T, VDSS –20 V, ID -3,6 A, PICOSTAR
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje-3,6 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente–20 V
  • Tipo de EncapsuladoPICOSTAR
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Texas Instruments CSD25304W1015T, VDSS 20 V, ID 3 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple
  • 0,271 €
    unitário (Fornecido em carretes de 250)
MOSFET Texas Instruments CSD25304W1015T, VDSS 20 V, ID 3 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoDSBGA
  • SerieNexFET
Consulte produtos similares em MOSFET
Arrestor de protección ESD Bidireccional, TPD4E02B04DQAR, 17W, USON, 10-Pines
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Arrestor de protección ESD Bidireccional, TPD4E02B04DQAR, 17W, USON, 10-Pines
  • Tipo de DirecciónBidireccional
  • Configuración de diodoQuad
  • Tensión Residual Máxima8.8V
  • Tensión Mínima de Ruptura5.5V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Diodos TVS
Diodo TVS Unidireccional, TPD4E001DPKT, 100W, USON, 6 Pin-Pines
  • 0,911 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo TVS Unidireccional, TPD4E001DPKT, 100W, USON, 6 Pin-Pines
  • Tipo de DirecciónUnidireccional
  • Configuración de diodoArray
  • Tensión Residual Máxima25V
  • Tensión Mínima de Ruptura11V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT, VDSS 100 V, ID 200 A, DDPAK/ TO-263
  • 1,218 €
    unitário (Fornecido em carretes de 500)
MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT, VDSS 100 V, ID 200 A, DDPAK/ TO-263
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje200 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
  • Tipo de EncapsuladoDDPAK/ TO-263
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Texas Instruments CSD18502Q5B, VDSS 40 V, ID 204 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
  • 2,332 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Texas Instruments CSD18502Q5B, VDSS 40 V, ID 204 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje204 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente40 V
  • Tipo de EncapsuladoVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Consulte produtos similares em MOSFET
Transistor Darlington, ULN2003AIPWR, NPN 50 V, TSSOP, 16 pines
  • 0,501 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor Darlington, ULN2003AIPWR, NPN 50 V, TSSOP, 16 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoTSSOP
  • Conteo de Pines16
  • Número de Elementos por Chip1
Consulte produtos similares em Pares Darlington
Diodo TVS, SN65240PW, TSSOP, 8-Pines
  • 1,532 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Diodo TVS, SN65240PW, TSSOP, 8-Pines
  • Configuración de diodoÁnodo común
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoTSSOP
  • Conteo de Pines8
  • Número de Elementos por Chip2
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3, VDSS 30 V, ID 3 A, VSONP de 8 pines
  • 0,64 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Texas Instruments CSD17575Q3, VDSS 30 V, ID 3 A, VSONP de 8 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje3 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • SerieNexFET
  • Tipo de EncapsuladoVSONP
Consulte produtos similares em MOSFET
MOSFET Texas Instruments CSD25402Q3A, VDSS 20 V, ID 76 A, VSONP de 8 pines
  • 0,403 €
    unitário (Fornecido em carretes de 2500)
MOSFET Texas Instruments CSD25402Q3A, VDSS 20 V, ID 76 A, VSONP de 8 pines
  • Tipo de CanalP
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje76 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente20 V
  • Tipo de EncapsuladoVSONP
  • SerieNexFET
Consulte produtos similares em MOSFET
Array de diodo TVS Unidireccional, TPD4S012DRYR, 60W, SON, 6-Pines
  • 0,556 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Array de diodo TVS Unidireccional, TPD4S012DRYR, 60W, SON, 6-Pines
  • Tipo de DirecciónUnidireccional
  • Configuración de diodoMatriz compleja
  • Tensión Mínima de Ruptura20V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSON
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 349 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
  • 3,713 €
    unitário (Em Tubo de 50)
MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 349 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje349 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • SerieNexFET
  • Tipo de EncapsuladoD2PAK (TO-263)
Consulte produtos similares em MOSFET
Diodo de corriente constante, REF200AU, 100μA, 40V, SOIC, 8 pines
  • 7,215 €
    unitário (Em Tubo de 75)
Diodo de corriente constante, REF200AU, 100μA, 40V, SOIC, 8 pines
  • Configuración de diodoSimple
  • Corriente Reguladora Máxima100µA
  • Número de Elementos por Chip3
  • Tensión de Funcionamiento de Pico Máxima40V
  • Impedancia Mínima Dinámica500MΩ
Consulte produtos similares em Diodos para Corriente Constante
Diodo de protección ESD Unidireccional, TPD2E007DCKR, 150W, SOT-323 (SC-70), 3-Pines
  • 0,29 €
    unitário (Fornecido em carretes de 3000)
Diodo de protección ESD Unidireccional, TPD2E007DCKR, 150W, SOT-323 (SC-70), 3-Pines
  • Tipo de DirecciónUnidireccional
  • Configuración de diodoSerie
  • Tensión Mínima de Ruptura14V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSOT-323 (SC-70)
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 200 A, D²PAK de 3 pines
  • 3,956 €
    unitário (Fornecido em carretes de 50)
MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 200 A, D²PAK de 3 pines
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje200 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente60 V
  • Tipo de EncapsuladoD²PAK
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Array de diodo TVS Unidireccional, TPD4S012DRYR, 60W, SON, 6-Pines
  • 0,197 €
    unitário (Fornecido em carretes de 5000)
Array de diodo TVS Unidireccional, TPD4S012DRYR, 60W, SON, 6-Pines
  • Tipo de DirecciónUnidireccional
  • Configuración de diodoMatriz compleja
  • Tensión Mínima de Ruptura20V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
  • Tipo de EncapsuladoSON
Consulte produtos similares em Diodos TVS
MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, VDSS 30 V, ID 14 A, VSON-CLIP
  • 0,738 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 10)
  • Também disponível no formato de produção industrial
MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, VDSS 30 V, ID 14 A, VSON-CLIP
  • Tipo de CanalN
  • Corriente Máxima Continua de Drenaje14 A
  • Tensión Máxima Drenador-Fuente30 V
  • Tipo de EncapsuladoVSON-CLIP
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em MOSFET
Arrestor de protección ESD Unidireccional, TPD4E1U06DBVR, 45W, SOT-23, 6-Pines
  • 0,26 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 20)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Arrestor de protección ESD Unidireccional, TPD4E1U06DBVR, 45W, SOT-23, 6-Pines
  • Tipo de DirecciónUnidireccional
  • Configuración de diodoMatriz compleja
  • Tensión Residual Máxima15V
  • Tensión Mínima de Ruptura6.5V
  • Tipo de MontajeMontaje superficial
Consulte produtos similares em Diodos TVS
Transistor Darlington, ULN2003ADR, NPN 50 V, SOIC, 16 pines
  • 0,333 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 25)
  • Também disponível no formato de produção industrial
Transistor Darlington, ULN2003ADR, NPN 50 V, SOIC, 16 pines
  • Tipo de TransistorNPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor50 V
  • Tipo de EncapsuladoSOIC
  • Conteo de Pines16
  • Número de Elementos por Chip7
Consulte produtos similares em Pares Darlington
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