MOSFET | RS
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Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18540 resultados para MOSFET

    Vishay
    N
    245 A
    80 V
    -
    -
    PowerPAK 8 x 8 L
    -
    Montaje superficial
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    STMicroelectronics
    N
    20 A
    600 V
    165 mΩ
    MDmesh
    TO-247
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -25 V, +25 V
    Mejora
    140 W
    -
    Simple
    5.15mm
    60 nC a 10 V
    15.75mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    P
    40 A
    100 V
    60 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    200 W
    -
    Simple
    4.69mm
    180 nC @ 10 V
    10.54mm
    Si
    1
    +175 °C
    STMicroelectronics
    N
    1 A
    600 V
    8,5 Ω
    MDmesh, SuperMESH
    IPAK (TO-251)
    3.7V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2.25V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    30 W
    -
    Simple
    6.2mm
    7 nC a 10 V
    6.6mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    50 A
    100 V
    -
    -
    DPAK (TO-252)
    -
    Montaje superficial
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Infineon
    N
    195 A
    40 V
    1,3 mΩ
    StrongIRFET
    TO-220AB
    3.9V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2.2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    375 W
    -
    Simple
    4.83mm
    460 nC a 10 V
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    59 A
    100 V
    -
    -
    PG-TO252-3
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    P
    50 A
    60 V
    0,02 O
    TrenchFET
    DPAK (TO-252)
    2.5V
    Montaje superficial
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Infineon
    N
    46 A
    60 V
    14,6 mΩ
    OptiMOS™
    TDSON
    3.3V
    Montaje superficial
    8
    2.1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    36 W
    -
    Simple
    6.1mm
    12 nC a 10 V
    5.35mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    N
    14 A
    500 V
    400 mΩ
    -
    TO-247AC
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    190 W
    -
    Simple
    5.31mm
    64 nC a 10 V
    15.87mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    70 A
    100 V
    23 mΩ
    QFET
    TO-3PN
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -25 V, +25 V
    Mejora
    214000 mW
    -
    Simple
    5mm
    85 nC a 10 V
    15.8mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    17 A
    800 V
    0,28 Ω
    CoolMOS™ P7
    TO-220
    3.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    onsemi
    N
    44 A
    250 V
    69 mΩ
    UniFET
    D2PAK (TO-263)
    -
    Montaje superficial
    3
    3V
    -
    Mejora
    307 W
    -
    Simple
    11.33mm
    47 nC a 10 V
    10.67mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    13 A
    1.200 V
    22 m.Ω
    IMW1
    TO-247
    4.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    Vishay
    N
    47 A
    600 V
    64 mΩ
    E Series
    TO-247AC
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    357 W
    -
    Simple
    5.31mm
    147 nC a 10 V
    15.87mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    20 A
    600 V
    190 mΩ
    CoolMOS S5
    TO-247
    5.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3.5V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    208 W
    -
    Simple
    5.3mm
    79 nC a 10 V
    15.9mm
    Si
    1
    +150 °C
    Nexperia
    N
    4,4 A
    30 V
    44 mΩ
    PMV40UN2
    SOT-23
    0.9V
    Montaje superficial
    3
    0.4V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    5 W
    -
    Simple
    1.4mm
    7 nC a 4,5 V
    3mm
    -
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    80 A
    100 V
    15 mΩ
    STripFET II
    TO-220
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    300 W
    -
    Simple
    4.6mm
    135 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +175 °C
    IXYS
    N
    48 A
    500 V
    100 mΩ
    HiperFET
    TO-264AA
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    500000 mW
    -
    Simple
    5.13mm
    270 nC a 10 V
    19.96mm
    Si
    1
    +150 °C
    ROHM
    N
    10 A
    1.200 V
    0,45 Ω
    -
    TO-247N
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    1
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