MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF5210PBF, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 541-1720
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-280
- Referência do fabricante:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
2,88 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 41 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,88 € |
| 10 - 24 | 2,74 € |
| 25 - 49 | 2,69 € |
| 50 - 99 | 2,51 € |
| 100 + | 2,34 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 541-1720
- Número do artigo Distrelec:
- 303-41-280
- Referência do fabricante:
- IRF5210PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 40 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRF5210PBF
Este MOSFET está diseñado para diversas aplicaciones eléctricas y electrónicas. Está optimizado para ofrecer una alta eficiencia, y es compatible con sistemas de automatización y control en los que la gestión eficaz de la energía es crucial. Sus robustas especificaciones permiten un control preciso del circuito, lo que garantiza la fiabilidad y la eficacia en entornos difíciles.
Características y ventajas
• corriente de drenaje continua de 40 A para aplicaciones de alta potencia
• la tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V proporciona versatilidad operativa
• El diseño de canal P simplifica la configuración del circuito
• La funcionalidad del modo de mejora facilita la gestión eficiente de la energía
• La elevada capacidad de disipación de potencia máxima mejora el rendimiento térmico
Aplicaciones
• Conmutación de potencia en la automatización industrial
• Convertidores CC-CC para una alimentación eficiente
• Circuitos de control de motores de precisión
• Escenarios de manejo de picos de potencia en electrónica
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento de este componente?
El componente puede funcionar a una temperatura máxima de +175 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura.
¿Cómo beneficia la baja resistencia a la conexión al rendimiento del circuito?
La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia, lo que se traduce en una mayor eficiencia energética y una mejor gestión térmica.
¿Es adecuado para aplicaciones en sistemas de automoción?
Sí, sus robustas especificaciones y características térmicas lo hacen adecuado para aplicaciones de automoción en las que la fiabilidad es esencial.
¿En qué tipo de configuraciones de circuito puede integrarse?
Este componente se integra perfectamente en varias configuraciones, incluidas las disposiciones simples y paralelas, lo que permite una gran flexibilidad de diseño.
¿Cómo debe instalarse para garantizar un rendimiento óptimo?
Garantice un contacto térmico adecuado con un disipador térmico y siga las directrices de diseño de PCB recomendadas para mejorar el rendimiento y la fiabilidad.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 230 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 23 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-220 de 3 pines