MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD1NK60-1, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, IPAK de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

3,30 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Mais 3945 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 +0,66 €3,30 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
761-2704
Referência do fabricante:
STD1NK60-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Anchura

6.2 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Links relacionados