MOSFET | RS
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Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18540 resultados para MOSFET

    DiodesZetex
    N, P
    5,4 A, 6,4 A
    30 V
    50 mΩ
    -
    SOIC
    -
    Montaje superficial
    8
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    2,1 W
    -
    Aislado
    4mm
    17,5 nC a 10 V
    5mm
    Si
    2
    +150 °C
    onsemi
    N
    58 A
    30 V
    15 mΩ
    PowerTrench
    DPAK (TO-252)
    -
    Montaje superficial
    3
    1.2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    55 W
    -
    Simple
    6.22mm
    23 nC a 10 V
    6.73mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    190 A
    100 V
    4 mΩ
    HEXFET
    D2PAK (TO-263)
    4V
    Montaje superficial
    7
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    380000 mW
    -
    Simple
    -
    150 nC a 10 V
    -
    Si
    1
    +175 °C
    Vishay Siliconix
    N
    250 A
    40 V
    1 mΩ
    TrenchFET
    D2PAK (TO-263)
    2.5V
    Montaje superficial
    7
    3.5V
    ±20 V
    Mejora
    300 W
    -
    Simple
    4.83mm
    163 nC a 10 V
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    onsemi
    N
    4 A
    60 V
    100 mΩ
    -
    SOT-223
    -
    Montaje superficial
    3
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    3 W
    -
    Simple
    3.56mm
    13 nC a 10 V
    6.5mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    88 A
    40 V
    3,9 mΩ
    -
    DPAK (TO-252)
    2.2V
    Montaje superficial
    3
    1.2V
    ±20 V
    Mejora
    56 W
    -
    Simple
    6.22mm
    21 nC a 4,5 V
    6.73mm
    -
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    40 A
    60 V
    6,3 mΩ
    OptiMOS™ 5
    TDSON
    -
    Montaje superficial
    8
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    69 W
    -
    Simple
    3.4mm
    27 nC a 10 V
    3.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    P
    130 mA
    50 V
    10 Ω
    -
    SOT-23
    -
    Montaje superficial
    3
    0.8V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    360 mW
    -
    Simple
    1.3mm
    0.9 nC @ 5 V
    2.92mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    50 A
    200 V
    40 mΩ
    HEXFET
    TO-247AC
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    300 W
    -
    Simple
    5.3mm
    234 nC a 10 V
    15.9mm
    Si
    1
    +175 °C
    Nexperia
    N
    1,9 A
    100 V
    250 mΩ
    -
    SOT-23
    4V
    Montaje superficial
    3
    2V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    2 W
    -
    Simple
    1.4mm
    7 nC a 10 V
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    P
    7,4 A
    40 V
    78 mΩ
    SQ Rugged
    TSOP-6
    -
    Montaje superficial
    6
    1.5V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    5 W
    -
    Simple
    1.7mm
    10 nC a 4,5 V
    3.1mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    190 A
    100 V
    4 mΩ
    HEXFET
    D2PAK-7
    4V
    Montaje superficial
    7
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    380 W
    -
    -
    9.65mm
    150 nC a 10 V
    10.67mm
    -
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    34 A
    200 V
    32 mΩ
    OptiMOS™ 3
    TO-220
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    136 W
    -
    Simple
    4.57mm
    22 nC a 10 V
    10.36mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    -
    60 A
    600 V
    -
    -
    DSO
    -
    Montaje superficial
    20
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    GaN
    1
    -
    Infineon
    P
    40 A
    30 V
    -
    -
    PG-TDSON-8
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Nexperia
    P
    130 mA
    50 V
    10 Ω
    -
    SOT-23
    2V
    Montaje superficial
    3
    0.8V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    250 mW
    -
    Simple
    1.4mm
    -
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    31 A
    55 V
    -
    HEXFET
    TO-220 Full-Pak
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Silicio
    2
    -
    Infineon
    N
    3 A
    50 V
    200 mΩ
    HEXFET
    SOIC
    3V
    Montaje superficial
    8
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    2 W
    -
    Aislado
    4mm
    12 nC a 10 V
    5mm
    Si
    2
    +150 °C
    Infineon
    P
    3,4 A
    55 V
    170 mΩ
    HEXFET
    SOIC
    1V
    Montaje superficial
    8
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    2 W
    -
    Aislado
    4mm
    26 nC a 10 V
    5mm
    Si
    2
    +150 °C
    onsemi
    N
    850 mA
    200 V
    1,35 Ω
    QFET
    SOT-223
    -
    Montaje superficial
    3
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    2200 mW
    -
    Simple
    3.56mm
    4 nC a 5 V
    6.5mm
    Si
    1
    +150 °C
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