MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ186E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 245 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 252-0316
- Referência do fabricante:
- SQJQ186E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
7,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Disponibilidade limitada
- 1844 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
O nosso stock atual é limitado e os fornecedores antecipam dificuldades no abasteccimiento.
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,85 € | 7,70 € |
| 20 - 98 | 3,63 € | 7,26 € |
| 100 - 198 | 3,275 € | 6,55 € |
| 200 - 498 | 3,09 € | 6,18 € |
| 500 + | 2,89 € | 5,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 252-0316
- Referência do fabricante:
- SQJQ186E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 245A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0014mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.9mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 245A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0014mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.9mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
con certificación AEC-Q101
100 % comprobación Rg y UIS
Altura reducida de 1,9 mm
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ186E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 245 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ148E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 375 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ142E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 460 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ140E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 701 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ118E-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 155 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJ184EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 118 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SQJQ144AE-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 575 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQJQ130EL-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines