Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQD50P06-15L_GE3, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 180-7967
Referência do fabricante:: SQD50P06-15L_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQD50P06-15L_GE3, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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125 - 245	2,356 €	11,78 €
250 - 495	1,90 €	9,50 €
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Código RS:: 180-7967
Referência do fabricante:: SQD50P06-15L_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	20mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	136W
	Tensión directa Vf	-1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	98nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	2.38mm
	Anchura	6.73 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.41mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 50A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TO-252
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 136W
	Tensión directa Vf -1.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 2.38mm
	Anchura 6.73 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.41mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet

COO (País de Origem):: TW

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 50A A y una disipación de potencia máxima de 136W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• Encapsulado con baja resistencia térmica

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• Interruptor adaptador

• Interruptores de carga

Certificaciones

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado