MOSFET | RS
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Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18540 resultados para MOSFET

    STMicroelectronics
    N
    8 A
    950 V
    800 mΩ
    MDmesh K5, SuperMESH5
    TO-220
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    130 W
    -
    Simple
    4.6mm
    22 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    17 A
    55 V
    70 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    45 W
    -
    Simple
    -
    20 nC a 10 V
    -
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    57 A
    40 V
    -
    -
    SuperSO8 5 x 6
    -
    Montaje superficial
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    onsemi
    N
    235 A
    75 V
    3,2 mΩ
    PowerTrench
    TO-220
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2.5V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    375 W
    -
    Simple
    4.5mm
    169 nC a 10 V
    9.9mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    300 mA
    60 V
    4 Ω
    OptiMOS™
    SOT-23
    2.5V
    Montaje superficial
    3
    1.5V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    500 mW
    -
    Simple
    1.3mm
    0.4 nC @ 10 V
    2.9mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    N
    17 A
    60 V
    100 mΩ
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    60 W
    -
    Simple
    -
    25 nC a 10 V
    -
    Si
    1
    +175 °C
    STMicroelectronics
    N
    20 A
    600 V
    290 mΩ
    MDmesh
    TO-220FP
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    45 W
    -
    Simple
    4.6mm
    39 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    N
    8 A
    500 V
    850 mΩ
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    125 W
    -
    Simple
    4.7mm
    38 nC a 10 V
    10.41mm
    Si
    1
    +150 °C
    DiodesZetex
    N
    4 A
    30 V
    55 mΩ
    -
    SOT-23
    1.4V
    Montaje superficial
    3
    0.6V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    1,2 W
    -
    Simple
    1.4mm
    17,2 nC a 10 V
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    Nexperia
    N
    300 mA
    60 V
    5 Ω
    -
    SOT-23
    2V
    Montaje superficial
    3
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    830 mW
    -
    Simple
    1.4mm
    -
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    70 A
    300 V
    32 mΩ
    HEXFET
    TO-247AC
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    517 W
    -
    Simple
    5.31mm
    180 nC a 10 V
    15.87mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    54,9 A
    800 V
    -
    -
    PG-TO247-3
    -
    Montaje en orificio pasante
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Nexperia
    N
    4,4 A
    30 V
    44 mΩ
    PMV40UN2
    SOT-23
    0.9V
    Montaje superficial
    3
    0.4V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    5 W
    -
    Simple
    1.4mm
    7 nC a 4,5 V
    3mm
    -
    1
    +150 °C
    Nexperia
    N
    360 mA
    60 V
    1,6 Ω
    -
    SOT-23
    1.5V
    Montaje superficial
    3
    0.9V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    420 mW
    -
    Simple
    1.4mm
    0,72 nC a 4,5 V
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    79 A
    150 V
    48 mΩ
    PowerTrench
    D2PAK (TO-263)
    -
    Montaje superficial
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    310 W
    -
    Simple
    11.33mm
    82 nC a 10 V
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    onsemi
    N
    170 mA
    100 V
    6 Ω
    -
    SOT-23
    2.8V
    Montaje superficial
    3
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    225 mW
    -
    Simple
    1.3mm
    -
    2.9mm
    Si
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    35 A
    60 V
    28 mΩ
    STripFET
    DPAK (TO-252)
    2.5V
    Montaje superficial
    3
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    70000 mW
    -
    Simple
    6.2mm
    23 nC a 5 V
    6.6mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    35 A
    120 V
    -
    -
    PG-TO252-3-11
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    2,5 A
    60 V
    100 mΩ
    -
    HVMDIP
    -
    Montaje en orificio pasante
    4
    1V
    -10 V, +10 V
    Mejora
    1,3 W
    -
    Simple
    6.29mm
    18 nC a 5 V
    5mm
    Si
    1
    +175 °C
    STMicroelectronics
    N
    18 A
    710 V
    190 mΩ
    MDmesh M5
    TO-220FP
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -25 V, +25 V
    Mejora
    30 W
    -
    Simple
    4.6mm
    36 nC a 10 V
    10.4mm
    Si
    1
    +150 °C
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