MOSFET, N-Canal Vishay SiHG47N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 47 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
768-9332
Referência do fabricante:
SiHG47N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

E

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

64mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

147nC

Disipación de potencia máxima Pd

357W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31mm

Altura

20.7mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor


Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características


Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Nivel bajo en resistencia (RDS(on))

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Conmutación rápida

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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