MOSFET | RS
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Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18540 resultados para MOSFET

    Nexperia
    P
    130 mA
    50 V
    10 Ω
    -
    SOT-23
    2V
    Montaje superficial
    3
    0.8V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    250 mW
    -
    Simple
    1.4mm
    -
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    94 A
    30 V
    9 mΩ
    PowerTrench
    DPAK (TO-252)
    -
    Montaje superficial
    3
    1.2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    80 W
    -
    Simple
    6.22mm
    46 nC a 10 V
    6.73mm
    Si
    1
    +175 °C
    onsemi
    N
    30 A
    60 V
    40 mΩ
    QFET
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -25 V, +25 V
    Mejora
    79 W
    -
    Simple
    4.7mm
    19 nC a 10 V
    10.1mm
    Si
    1
    +175 °C
    IXYS
    N
    20 A
    500 V
    300 mΩ
    HiperFET, Polar3
    TO-247
    5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -30 V, +30 V
    Mejora
    380 W
    -
    Simple
    5.3mm
    36 nC a 10 V
    16.26mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    50 A
    60 V
    22 mΩ
    MegaFET
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    131 W
    -
    Simple
    4.83mm
    125 nC @ 20 V
    10.67mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    18 A
    55 V
    60 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    2V
    Montaje en orificio pasante
    3
    1V
    -16 V, +16 V
    Mejora
    45 W
    -
    Simple
    4.69mm
    15 nC a 5 V
    10.54mm
    Si
    1
    +175 °C
    Nexperia
    P
    180 mA
    50 V
    7,5 Ω
    -
    SOT-23
    2.1V
    Montaje superficial
    3
    1.1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    420 mW
    -
    Simple
    1.4mm
    0,26 nC a 5 V
    3mm
    Si
    1
    +150 °C
    DiodesZetex
    P
    230 mA
    45 V
    14 Ω
    -
    Línea E
    3.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    700 mW
    -
    Simple
    2.41mm
    -
    4.77mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    P
    4 A
    100 V
    1,2 Ω
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    43 W
    -
    Simple
    4.7mm
    8,7 nC a 10 V
    10.41mm
    Si
    1
    +175 °C
    onsemi
    N
    23 A
    600 V
    240 mΩ
    QFET
    TO-3PN
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    3V
    -30 V, +30 V
    Mejora
    310000 mW
    -
    Simple
    5mm
    110 nC a 10 V
    15.8mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    P
    5,1 A
    60 V
    500 mΩ
    -
    DPAK (TO-252)
    -
    Montaje superficial
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    25 W
    -
    Simple
    6.22mm
    12 nC a 10 V
    6.73mm
    Si
    1
    +150 °C
    onsemi
    N
    235 A
    75 V
    3,2 mΩ
    PowerTrench
    TO-220
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    2.5V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    375 W
    -
    Simple
    4.5mm
    169 nC a 10 V
    9.9mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    17 A
    100 V
    90 mΩ
    HEXFET
    TO-220AB
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    70 W
    -
    Simple
    4.69mm
    37 nC @ 10 V
    10.54mm
    Si
    1
    +175 °C
    Vishay
    N, P
    400 mA, 700 mA
    20 V
    1,48 Ω, 578 mΩ
    -
    SOT-363
    -
    Montaje superficial
    6
    0.6V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    340 mW
    -
    Aislado
    1.35mm
    1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V
    2.2mm
    Si
    2
    +150 °C
    IXYS
    N
    53 A
    800 V
    140 mΩ
    HiperFET, Polar
    SOT-227
    5V
    Montaje roscado
    4
    -
    -30 V, +30 V
    Mejora
    1,04 kW
    -
    Simple
    25.42mm
    250 nC a 10 V
    38.23mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    37 A
    150 V
    11,1 mΩ
    OptiMOS™ 3
    TO-220 FP
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    40,5 W
    -
    Simple
    4.85mm
    41 nC a 10 V
    10.65mm
    Si
    1
    +175 °C
    Infineon
    N
    40 A
    60 V
    6,3 mΩ
    OptiMOS™ 5
    TDSON
    -
    Montaje superficial
    8
    -
    -20 V, +20 V
    Mejora
    69 W
    -
    Simple
    3.4mm
    27 nC a 10 V
    3.4mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    P
    6,6 A
    100 V
    480 mΩ
    HEXFET
    DPAK (TO-252)
    4V
    Montaje superficial
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    40 W
    -
    Simple
    6.22mm
    27 nC a 10 V
    6.73mm
    Si
    1
    +150 °C
    STMicroelectronics
    N
    20 A
    600 V
    165 mΩ
    MDmesh
    TO-247
    4V
    Montaje en orificio pasante
    3
    2V
    -25 V, +25 V
    Mejora
    140 W
    -
    Simple
    5.15mm
    60 nC a 10 V
    15.75mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    4,9 A
    30 V
    80 mΩ
    HEXFET
    SOIC
    1V
    Montaje superficial
    8
    1V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    2 W
    -
    Aislado
    4mm
    25 nC a 10 V
    5mm
    Si
    2
    +150 °C
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