MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 169 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2794
- Referência do fabricante:
- IPT029N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
8,35 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 82 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,175 € | 8,35 € |
| 50 - 98 | 3,80 € | 7,60 € |
| 100 - 248 | 3,475 € | 6,95 € |
| 250 - 998 | 3,215 € | 6,43 € |
| 1000 + | 2,99 € | 5,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2794
- Referência do fabricante:
- IPT029N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 169A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 169A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de 80 V y canal N ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación sincronizada. Está cualificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET está completamente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales y sin halógenos conforme a IEC61249 2 21.
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Excelente carga de compuerta
Resistencia de encendido muy baja
Prueba de avalancha al 100 %
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT029N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 169 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT014N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 200 A, Mejora, PG-HSOF de 8 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IAUT200N08S5N023ATMA1, VDSS 80 V, ID 200 A, Mejora, PG-HSOF de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T065S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 8 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 313 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T022S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines