MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R057M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-724
- Referência do fabricante:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-724
- Referência do fabricante:
- IMT65R057M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 203W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 203W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon presenta tecnología avanzada de carburo de silicio, meticulosamente diseñada para un alto rendimiento y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Aprovechando más de dos décadas de optimización, este MOSFET proporciona una eficiencia y facilidad de uso excepcionales, lo que lo convierte en una elección ideal para diversas implementaciones, incluidos inversores solares y sistemas de carga de vehículos eléctricos. Sus características robustas garantizan un funcionamiento fiable en entornos de alta temperatura, allanando el camino para diseños de alimentación más compactos y eficientes. Mejorado con un diodo de cuerpo rápido y una fiabilidad superior de óxido de puerta, este producto destaca en su categoría, ofreciendo un equilibrio único de rendimiento y facilidad de uso. Perfecto para los ingenieros que buscan la excelencia en los circuitos de alimentación, este MOSFET encarna la innovación y la fiabilidad, estableciendo un nuevo punto de referencia en el sector.
Optimizado para conmutación de alta corriente
Capacidad de avalancha mejorada para mayor robustez
Compatible con controladores estándar para mayor flexibilidad
La configuración de fuente Kelvin reduce las pérdidas de conmutación
Alto rendimiento y fiabilidad combinados
Ideal para conmutación dura continua
El diseño compacto mejora la densidad de potencia
Calificación para aplicaciones industriales conforme a los estándares JEDEC
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