MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT017N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-688
- Referência do fabricante:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-688
- Referência do fabricante:
- IPT017N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 331A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 331A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 6 que establece un nuevo punto de referencia para el rendimiento en la industria de semiconductores. Diseñado para una alta eficiencia y una gestión térmica excepcional, este producto destaca en aplicaciones exigentes. Con un diseño robusto que admite 120 V, está diseñado para conmutación de alta frecuencia, lo que ofrece fiabilidad y velocidad sin comprometer la eficiencia energética. El MOSFET de canal N integra una resistencia de conexión muy baja y una carga de puerta mínima, lo que lo convierte en una solución ideal para la conversión de potencia y el control en entornos industriales. Su ingeniería avanzada garantiza el cumplimiento de RoHS y otros estándares ambientales, lo que lo convierte en una elección sostenible y basada en el rendimiento para la electrónica moderna.
Optimizado para un rendimiento de alta frecuencia
Excelente eficiencia térmica para mayor fiabilidad
La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas de energía
Carga de puerta rápida para operaciones rápidas
Calificado para rendimiento industrial
Compatible con el medio ambiente para la sostenibilidad
Maneja la alta energía de avalancha de manera segura
Amplia gama de temperaturas de funcionamiento
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