MOSFET, N-Canal Infineon IPT029N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 169 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2793
- Referência do fabricante:
- IPT029N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2793
- Referência do fabricante:
- IPT029N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 169A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 169A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de 80 V y canal N ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación sincronizada. Está cualificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET está completamente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales y sin halógenos conforme a IEC61249 2 21.
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Excelente carga de compuerta
Resistencia de encendido muy baja
Prueba de avalancha al 100 %
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