MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT023N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 243 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
351-908
Referência do fabricante:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

243A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

144nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Altura

2.40mm

Longitud

10.58mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
AT
La tecnología OptiMOS 5 Linear FET 2 de Infineon permite el mejor equilibrio de su categoría entre resistencia en estado de encendido y capacidad de modo lineal. Combinado con el paquete TOLL, el IPT023N10NM5LF2 está destinado para la protección contra corrientes de irrupción, como intercambio en caliente, fusibles electrónicos y protección de batería en sistemas de gestión de batería (BMS).

Amplia zona de funcionamiento seguro (SOA)

RDS(on) baja

IGSS más bajo comparado con la FET lineal

Característica de transferencia optimizada

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