MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R030M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 142 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
284-715
Referência do fabricante:
IMT65R030M1HXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

142A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

294W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon se ha diseñado para las demandas modernas de aplicaciones de alto rendimiento, ofreciendo una solución robusta en un encapsulado compacto. Diseñado con tecnología de carburo de silicio sólido de vanguardia, este dispositivo semiconductor combina una fiabilidad y eficiencia excepcionales, lo que lo convierte en ideal para una amplia gama de aplicaciones como inversores solares, infraestructura de carga de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación ininterrumpidas. Con un enfoque en la simplicidad y la rentabilidad, mejora el rendimiento del sistema al tiempo que garantiza una estabilidad térmica superior para entornos exigentes. Este dispositivo garantiza no solo un rendimiento, sino también una integración perfecta en varios diseños, redefiniendo lo que es posible en la gestión de potencia.

La conmutación optimizada mejora la eficiencia operativa

El diodo de cuerpo robusto admite aplicaciones avanzadas

Rendimiento térmico excepcional en condiciones extremas

La fuente Kelvin reduce las pérdidas de conmutación

Alta capacidad de avalancha para mayor durabilidad del sistema

Compatible con controladores estándar para facilitar la integración

El diseño compacto aumenta la densidad de potencia

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