MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 313 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-5352
- Referência do fabricante:
- IPT012N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
4,27 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 90 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 49 | 4,27 € |
| 50 - 99 | 3,56 € |
| 100 - 249 | 3,29 € |
| 250 - 999 | 3,05 € |
| 1000 + | 2,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-5352
- Referência do fabricante:
- IPT012N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 313A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 106nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 313A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 106nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para aplicaciones de alta corriente como montacargas, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Este encapsulado es una solución perfecta para aplicaciones de alta potencia donde se requiere la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y la reducción de espacio. Está calificado de acuerdo con JEDEC1 para aplicaciones de destino.
Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Superior resistencia térmica
Prueba de avalancha al 100 %
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT012N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 313 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T065S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 8 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 169 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT129N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 87 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T022S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R030M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 142 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT65R040CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 63 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R140D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines