MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT014N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
273-2792
Referência do fabricante:
IPT014N08NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

331A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

IPT

Encapsulado

PG-HSOF-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

160nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N de 80 V y está optimizado para aplicaciones a batería. Está cualificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET está completamente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales y sin halógenos conforme a IEC61249 2 21.

Conforme a RoHS

Revestimiento de plomo: sin Pb

Excelente carga de puerta

Muy baja resistencia de encendido

100 % a prueba de avalanchas

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