MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 280 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
258-3971
Referência do fabricante:
IRFH8303TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

280A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible

Mayor densidad de potencia

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