MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH8303TRPBF, VDSS 30 V, ID 280 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 258-3972
- Referência do fabricante:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
3,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 3998 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,80 € | 3,60 € |
| 20 - 48 | 1,62 € | 3,24 € |
| 50 - 98 | 1,51 € | 3,02 € |
| 100 - 198 | 1,42 € | 2,84 € |
| 200 + | 1,32 € | 2,64 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3972
- Referência do fabricante:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible
Mayor densidad de potencia
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 280 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 21 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 3.2 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 117 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 88 A, PQFN