MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN

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Código RS:
257-5572
Referência do fabricante:
IRLHS6276TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

9.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

RDS(on) bajo en encapsulado pequeño

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