MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 21 A, PQFN

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Código RS:
257-9388
Referência do fabricante:
IRFHM830TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRFHM de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 30 V en un encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Alternativa potencial al encapsulado Super SO 8 de alto RDS (encendido)

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