MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 265 A, PQFN

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Código RS:
257-5529
Referência do fabricante:
IRFH7084TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

265A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

127nC

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5 mm

Altura

1.05mm

Longitud

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplio catálogo disponible

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