MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 3.2 A, PQFN

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1 048,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 4000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
4000 +0,262 €1 048,00 €

*preço indicativo

Código RS:
257-9386
Referência do fabricante:
IRFHM3911TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRFHM de Infineon es un mosfet de infrarrojos de canal n simple de 100 V en un encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector


Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Links relacionados