MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 40 A, PQFN

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Código RS:
257-5570
Referência do fabricante:
IRLHM620TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la más amplia disponibilidad de socios de distribución

Calificación del producto según el estándar JEDEC

Encapsulado de montaje superficial estándar del sector

Potencial alternativo RDS(on) alto, encapsulado SuperSO8

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