MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT65R040CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 63 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-900
- Referência do fabricante:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-900
- Referência do fabricante:
- IPT65R040CFD7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 97nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 347W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 97nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 347W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de vanguardia diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Este producto ejemplifica un rendimiento térmico superior, lo que lo convierte en ideal para usar en entornos exigentes como los sectores de servidores y telecomunicaciones. Con su innovadora tecnología CoolMOS CFD7, promete una fiabilidad y eficiencia excepcionales, especialmente en topologías de conmutación de resonancia, incluidas aplicaciones de puente completo de desplazamiento de fase y LLC. Este MOSFET avanza sobre su predecesor con capacidades de conmutación mejoradas y una baja resistencia de estado encendido, optimizando la densidad de potencia y mejorando la eficacia general de sus diseños. Construido para cumplir con los rigurosos estándares de las aplicaciones industriales, el dispositivo proporciona una excelente robustez de conmutación dura al tiempo que mantiene un rendimiento excepcional en un amplio rango de temperaturas.
El diodo de cuerpo ultrarrápido minimiza las pérdidas de conmutación
Mejor RDS(on) de su clase para mejorar la eficiencia
Robusto contra conmutación dura para mayor fiabilidad
Controla el aumento de la tensión del bus para mayor seguridad
Optimizado para alta densidad de potencia en diseños compactos
Excelente en condiciones de carga ligera para aplicaciones SMPS industriales
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