MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R039M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 61 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-720
- Referência do fabricante:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-720
- Referência do fabricante:
- IMT65R039M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 61A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 51mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 263W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 61A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 51mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 263W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon es un dispositivo de potencia pionero que proporciona un rendimiento excepcional al aprovechar las propiedades avanzadas de la tecnología de carburo de silicio. Diseñado para una alta eficiencia y fiabilidad, este MOSFET destaca en aplicaciones que requieren una excelente estabilidad térmica y un alto rendimiento en condiciones hostiles. Con una innovadora estructura de óxido de puerta y un comportamiento de conmutación superior, reduce significativamente las pérdidas a corrientes más altas, lo que garantiza una larga vida útil y seguridad en varios entornos eléctricos. Perfectamente adecuado para aplicaciones como sistemas de alimentación, infraestructura de carga de vehículos eléctricos y soluciones de energía renovable, el MOSFET CoolSiC se presenta como una solución versátil que cumple los requisitos exigentes de la electrónica de potencia moderna. Este dispositivo es un testimonio de más de 20 años de excelencia de ingeniería, sirviendo como una base robusta para soluciones de energía de próxima generación.
La conmutación optimizada mejora el rendimiento
El diodo de cuerpo robusto garantiza una conmutación fiable
La excelente gestión térmica prolonga la vida útil
Funcionamiento eficiente a temperaturas elevadas
Integración perfecta con controladores estándar
La fuente Kelvin reduce las pérdidas de conmutación
Cumple los estándares JEDEC para mayor fiabilidad
Versátil para mejorar la densidad de potencia en diseños
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