MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R022M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 196 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-714
- Referência do fabricante:
- IMT65R022M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-714
- Referência do fabricante:
- IMT65R022M1HXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 196A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 196A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET CoolSiC de 650 V G1 de Infineon representa un avance significativo en electrónica de potencia, diseñado con tecnología de carburo de silicio de vanguardia para mejorar el rendimiento y la fiabilidad. Este innovador dispositivo cuenta con características de conmutación optimizadas, lo que permite una alta eficiencia en aplicaciones exigentes. Excelencia en entornos exigentes, ofreciendo una resistencia al calor y fiabilidad superiores a los dispositivos de silicio tradicionales. Su versatilidad permite la integración perfecta en varios sistemas, incluidas las telecomunicaciones, las energías renovables y la carga de vehículos eléctricos. Diseñado para una gestión térmica excepcional, garantiza un rendimiento a largo plazo al tiempo que reduce la huella general del sistema. El MOSFET CoolSiC se presenta como una solución ideal para la conversión de potencia moderna, apoyando los esfuerzos hacia diseños compactos y energéticamente eficientes.
Conmutación optimizada para mayor eficiencia del sistema
Compatible con configuraciones de controlador estándar
Efectivo en entornos de alta temperatura
Pérdidas de conmutación reducidas con fuente Kelvin
Diseño de diodo de cuerpo rápido fiable
Admite topologías de conmutación rígida
Mejora la eficiencia y reduce los costes
Calificación conforme a los estándares JEDEC
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