MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R140D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-965
- Referência do fabricante:
- IGT65R140D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
17,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 2000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,54 € | 17,70 € |
| 50 - 95 | 3,362 € | 16,81 € |
| 100 + | 3,114 € | 15,57 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 351-965
- Referência do fabricante:
- IGT65R140D2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Serie | IGT65 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.17Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Serie IGT65 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.17Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este CoolGaN de Infineon es un transistor de nitruro de galio (GaN) altamente eficiente diseñado para la conversión de potencia. Permite una mayor densidad de potencia, reduce el coste de la lista de materiales del sistema (BOM) y facilita los factores de forma miniaturizados. Fabricado con tecnología de obleas y líneas de producción totalmente automatizadas, presenta estrechas tolerancias de producción y la máxima calidad de producto. Esto lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones, desde la electrónica de consumo hasta las aplicaciones industriales.
Transistor de modo de mejora
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta y de salida
Mayor robustez de conmutación
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R030M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 142 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT65R040CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 63 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R045D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R057M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R048M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R039M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 61 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT65R025D2ATMA1, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMT65R107M1HXUMA1, VDSS 650 V, ID 26 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines